NTBG040N120M3S
onsemi(安森美)
D2PAK7
¥39.0159
62
碳化硅场效应管(MOSFET)
类型:N沟道,漏源电压(Vdss):1.2kV,连续漏极电流(Id):57A,耗散功率(Pd):263W
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NTBG040N120M3S
onsemi(安森美)
D2PAK7

100+:¥39.0159

30+:¥43.79

10+:¥49.01

1+:¥57.59

62

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 1.2kV
连续漏极电流(Id) 57A
耗散功率(Pd) 263W