咨询/建议
二极管配置：1 对共阴极，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V，电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：19A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.5 V @ 5 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：650 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：37A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：650 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：22A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：30A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V
二极管配置：1 对共阴极，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V，电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：38A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.5 V @ 15 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：650 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：120A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1000 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：35A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：115A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V
二极管配置：独立式，整流电流：33A，正向压降(Vf)：1.5V@10A，直流反向耐压(Vr)：1.2kV
二极管配置：独立式，整流电流：8A，正向压降(Vf)：1.4V@10A，直流反向耐压(Vr)：650V
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：10A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.75 V @ 10 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
二极管配置：独立式，整流电流：10A，正向压降(Vf)：1.4V@10A，直流反向耐压(Vr)：650V
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：600 V，电流 - 平均整流 (Io)：24A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.8 V @ 8 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
二极管配置：1对共阴极，整流电流：24.5A，正向压降(Vf)：1.5V@8A，直流反向耐压(Vr)：1.2kV
二极管配置：独立式，整流电流：6A，正向压降(Vf)：1.5V@6A，直流反向耐压(Vr)：650V
二极管配置：独立式，整流电流：8A，正向压降(Vf)：1.5V@8A，直流反向耐压(Vr)：650V
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：8A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.55 V @ 8 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：10A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.7 V @ 10 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：11.6A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.7 V @ 8 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：20A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.35 V @ 8 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
不适用于新设计
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：10A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.5 V @ 10 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：4A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.7 V @ 4 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：650 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：21A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1700 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5.3A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：20V
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V，电流 - 平均整流 (Io)：62A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.65 V @ 20 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：650 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：39A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：73A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.7 V @ 30 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：26A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，18V
二极管配置：独立式，整流电流：64A，正向压降(Vf)：1.43V@20A，直流反向耐压(Vr)：1.2kV
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：900 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：11.5A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V
二极管配置：独立式，整流电流：37A，正向压降(Vf)：1.38V@30A，直流反向耐压(Vr)：650V
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：30A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V，电流 - 平均整流 (Io)：33A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.8 V @ 10 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
二极管配置：独立式，整流电流：40A，正向压降(Vf)：1.65V@16A，直流反向耐压(Vr)：1.2kV
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：650 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：45A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V，20V
类型：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：1.2kV，连续漏极电流(Id)：52A，耗散功率(Pd)：228W
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：900 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：36A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：60A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.75 V @ 50 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：650 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：120A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：91A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
FET 类型：N 通道，技术：SiC（碳化硅结晶体管），漏源电压（Vdss）：1200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：127A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，18V
FET 类型：N 通道，技术：SiC（碳化硅结晶体管），漏源电压（Vdss）：1700 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：81A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：20V
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：600 V，电流 - 平均整流 (Io)：5A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.7 V @ 2 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns
二极管配置：独立式，正向压降(Vf)：1.45V，直流反向耐压(Vr)：650V，反向电流(Ir)：7uA
二极管配置：独立式，整流电流：38A，正向压降(Vf)：1.27V@10A，直流反向耐压(Vr)：650V
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：4A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.75 V @ 4 A，速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不适用于新设计
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：8A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.5 V @ 8 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns