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STGWA80H65DFB
ST(意法半导体)
TO-247
¥13.14
2,859
IGBT管/模块
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):120 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):240 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,80A
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封装
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STGWA80H65DFB
ST(意法半导体)
TO-247

90+:¥13.14

30+:¥14.95

10+:¥16.75

1+:¥19.76

233

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STGWA80H65DFB
意法半导体(ST)
TO-247

100+:¥20.6144

50+:¥24.7373

10+:¥28.8602

1+:¥36.0752

2626

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STGWA80H65DFB
ST(意法半导体)
TO-247 长引线

600+:¥39.55

1+:¥40.66

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
IGBT 类型 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值) 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 120 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 240 A
不同\xa0Vge、Ic 时\xa0Vce(on)(最大值) 2V @ 15V,80A
功率 - 最大值 469 W
开关能量 2.1mJ(开),1.5mJ(关)
输入类型 标准
栅极电荷 414 nC
25°C 时 Td(开/关)值 84ns/280ns
测试条件 400V,80A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr) 85 ns
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3