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FGA60N65SMD
onsemi(安森美)
TO-3PN
IGBT管/模块
IGBT 类型：场截止，电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：120 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：180 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.5V @ 15V，60A
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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FGA60N65SMD
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onsemi(安森美)
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TO-3PN
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900+:￥10.87 450+:￥11.2 90+:￥11.94 30+:￥13.56 10+:￥17.31 1+:￥19.99 |
290 |
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立即发货
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立创商城
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FGA60N65SMD
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onsemi(安森美)
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TO-3P-3
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450+:￥14.7 90+:￥15.9 30+:￥17.3 1+:￥21.1 |
514 |
21+
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在芯间
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FGA60N65SMD
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安森美(onsemi)
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TO-3P-3
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900+:￥19.1867 450+:￥22.0647 90+:￥23.9834 30+:￥26.8614 10+:￥32.6174 1+:￥38.3734 |
0 |
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油柑网
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FGA60N65SMD
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ON SEMICONDUCTOR
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[TO-3P-3L, TO-3P-3L]
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1+:￥19.894 |
9 |
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现货最快4H发
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京北通宇
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| IGBT 类型 | 场截止 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 650 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 120 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 180 A |
| 不同\xa0Vge、Ic 时\xa0Vce(on)（最大值） | 2.5V @ 15V，60A |
| 功率 - 最大值 | 600 W |
| 开关能量 | 1.54mJ（开），450µJ（关） |
| 输入类型 | 标准 |
| 栅极电荷 | 189 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | 18ns/104ns |
| 测试条件 | 400V，60A，3 欧姆，15V |
| 反向恢复时间 (trr) | 47 ns |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |