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STGD4M65DF2
ST(意法半导体)
DPAK
IGBT管/模块
IGBT 类型：沟槽型场截止，电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：8 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：16 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，4A
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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交期
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渠道
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STGD4M65DF2
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ST(意法半导体)
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DPAK
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1000+:￥1.9584 500+:￥1.9872 100+:￥2.0544 30+:￥2.1984 10+:￥2.8072 1+:￥3.6176 |
1076 |
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立创商城
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STGD4M65DF2
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ST(意法半导体)
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DPAK
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2500+:￥6.78 1+:￥7.02 |
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圣禾堂
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意法半导体(ST)
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DPAK
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1000+:￥7.722 100+:￥9.2664 10+:￥10.8108 1+:￥14.1892 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| IGBT 类型 | 沟槽型场截止 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 650 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 8 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 16 A |
| 不同\xa0Vge、Ic 时\xa0Vce(on)（最大值） | 2.1V @ 15V，4A |
| 功率 - 最大值 | 68 W |
| 开关能量 | 40µJ（开），136µJ（关） |
| 输入类型 | 标准 |
| 栅极电荷 | 15.2 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | 12ns/86ns |
| 测试条件 | 400V，4A，47 欧姆，15V |
| 反向恢复时间 (trr) | 133 ns |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |