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NGD8205ANT4G
onsemi(安森美)
TO-252(DPAK)
IGBT管/模块
集射极击穿电压(Vces)：390V，集电极电流(Ic)：20A，耗散功率(Pd)：125W，栅极阈值电压(Vge(th))：1.9V@4.5V,20A
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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NGD8205ANT4G
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onsemi(安森美)
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TO-252(DPAK)
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2000+:￥6.102 1000+:￥6.215 500+:￥6.328 100+:￥6.667 1+:￥7.0625 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| 集射极击穿电压(Vces) | 390V |
| 集电极电流(Ic) | 20A |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 1.9V@4.5V,20A |