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DMP4065SQ-7
DIODES(美台)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.4A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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渠道
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DMP4065SQ-7
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DIODES(美台)
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SOT23
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3000+:￥0.8 1+:￥0.844 |
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2年内
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圣禾堂
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DMP4065SQ-7
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Diodes(达尔)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.88 1500+:￥0.9284 750+:￥0.9845 100+:￥1.1 40+:￥1.375 |
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3天-15天
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唯样商城
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DMP4065SQ-7
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美台(DIODES)
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SOT-23
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30000+:￥0.9449 6000+:￥1.0201 3000+:￥1.0738 800+:￥1.5033 200+:￥2.1476 10+:￥3.4952 |
42000 |
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油柑网
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DMP4065SQ-7
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DIODES(美台)
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SOT-23
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500+:￥0.981 150+:￥1.154 50+:￥1.288 5+:￥1.667 |
5010 |
21+/22+
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在芯间
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DMP4065SQ-7
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DIODES(美台)
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SOT-23
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500+:￥1.0664 150+:￥1.2568 50+:￥1.4094 5+:￥1.7654 |
1975 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 40 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.4A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 80 毫欧 @ 4.2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 12.2 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 587 pF @ 20 V |
| 功率耗散（最大值） | 720mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |