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YJQ55P02A
YANGJIE(扬杰)
DFN3333-8L
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：55A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
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封装
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价格(含税)
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交期
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渠道
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YJQ55P02A
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YANGJIE(扬杰)
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DFN3333-8L
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500+:￥0.9886 150+:￥1.1712 50+:￥1.3175 5+:￥1.659 |
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YJQ55P02A
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YANGJIE
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1+:￥1.7121 |
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京北通宇
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 55A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 8.3 毫欧 @ 15A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 12.7 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 6358 pF @ 10 V |
| 功率耗散（最大值） | 3.2W（Ta），38W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |