咨询/建议
漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：4.1A，导通电阻(RDS(on))：52mΩ@4.5V，耗散功率(Pd)：1.7W
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：2A，耗散功率(Pd)：1W，栅极电荷量(Qg)：8nC@15V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：8.5A，导通电阻(RDS(on))：18mΩ@10V,7A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：11A，导通电阻(RDS(on))：16mΩ@10V,10A
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：5A，耗散功率(Pd)：1.6W
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.6A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：1.5A，导通电阻(RDS(on))：250mΩ@2.5V
FET 类型：2 N-通道（双），FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：20V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：450mA，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：990 毫欧 @ 100mA，4.5V
数量：1个N沟道+1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：3.5A，导通电阻(RDS(on))：95mΩ@4.5V
漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：3.5A，导通电阻(RDS(on))：180mΩ@4.5V,1A，耗散功率(Pd)：1.5W
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：30A，导通电阻(RDS(on))：10mΩ@10V,10A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：12A，导通电阻(RDS(on))：15mΩ@10V,10A
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.1A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：100A，导通电阻(RDS(on))：5.5mΩ@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：18A，导通电阻(RDS(on))：5.5mΩ@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：7A，导通电阻(RDS(on))：130mΩ@10V
不适用于新设计
FET 类型：N 和 P 沟道，FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：20V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.7A，2.6A，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：35 毫欧 @ 4A，4.5V
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：880mA，导通电阻(RDS(on))：400mΩ@2.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：50A，导通电阻(RDS(on))：8.5mΩ@4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：1.6A，导通电阻(RDS(on))：200mΩ@4.5V
漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：2.6A，导通电阻(RDS(on))：100mΩ@10V,2A，耗散功率(Pd)：900mW
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：650V，连续漏极电流(Id)：2A，导通电阻(RDS(on))：4.2Ω@10V,1A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：30A，导通电阻(RDS(on))：11mΩ@10V
数量：1个N沟道+1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：8.5A，导通电阻(RDS(on))：35mΩ@10V
数量：1个N沟道+1个P沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：12A，导通电阻(RDS(on))：30mΩ@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：30A，导通电阻(RDS(on))：25mΩ@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：12A，导通电阻(RDS(on))：20mΩ@10V,8A
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6.8A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：12A，导通电阻(RDS(on))：96mΩ@10V
数量：1个N沟道+1个P沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：20A，导通电阻(RDS(on))：38mΩ@10V,20A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：12A，导通电阻(RDS(on))：30mΩ@1.8V,5A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：10.5A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 和 P 沟道，FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：20V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：220mA，200mA，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.5 欧姆 @ 100mA，4.5V
不适用于新设计
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：250 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：500mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4V，10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：8A，导通电阻(RDS(on))：35mΩ@10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：5.5A，导通电阻(RDS(on))：80mΩ@4.5V,2A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：15A，导通电阻(RDS(on))：12mΩ@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：20A，导通电阻(RDS(on))：11mΩ@10V,20A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：150mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：30A，导通电阻(RDS(on))：10.3mΩ@10V，耗散功率(Pd)：20W
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.2A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.5V，4.5V
漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：16.1A，导通电阻(RDS(on))：18mΩ@10V；29mΩ@4.5V，耗散功率(Pd)：6.3W
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：14A，导通电阻(RDS(on))：25mΩ@4.5V，耗散功率(Pd)：5.25W
数量：1个N沟道+1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：8.8A，导通电阻(RDS(on))：18mΩ@10V；22mΩ@10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：13A，导通电阻(RDS(on))：132mΩ@4.5V,5A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5.8A，导通电阻(RDS(on))：33mΩ@10V；43mΩ@6V；56mΩ@4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：7.6A，导通电阻(RDS(on))：50mΩ@10V；56mΩ@4.5V
FET 类型：2 个 P 沟道（双），FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：30V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.4A，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：65 毫欧 @ 5A，10V