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IRFL024ZTRPBF
Infineon(英飞凌)
SOT-223
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：55 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5.1A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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价格(含税)
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IRFL024ZTRPBF
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英飞凌(INFINEON)
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SOT-223
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25000+:￥1.617 5000+:￥1.7456 2500+:￥1.8375 800+:￥2.5725 200+:￥3.675 10+:￥5.9811 |
3970 |
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油柑网
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INFINEON
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1+:￥1.666 |
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京北通宇
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Infineon(英飞凌)
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SOT-223
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500+:￥1.73 100+:￥2.28 30+:￥2.61 10+:￥2.88 1+:￥3.5 |
615 |
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Infineon(英飞凌)
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94+:￥2.1888 40+:￥2.5056 1+:￥3.36 |
94 |
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INFINEON TECHNOLOGIES
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SOT-223
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500+:￥1.6437 100+:￥2.1665 30+:￥2.4852 10+:￥2.7427 1+:￥3.3464 |
559 |
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1工作日
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 55 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.1A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 57.5 毫欧 @ 3.1A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 14 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 340 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 1W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |