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PSMN4R2-30MLDX
Nexperia(安世)
SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：70A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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PSMN4R2-30MLDX
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Nexperia(安世)
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SOT1210
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1500+:￥1.44 1000+:￥1.656 100+:￥2.0203 1+:￥2.6668 |
1540 |
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3天-5天
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唯样商城
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PSMN4R2-30MLDX
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Nexperia(安世)
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SOT1210
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1500+:￥1.46916 |
9000 |
23+
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1-3工作日发货
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硬之城
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PSMN4R2-30MLDX
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安世(Nexperia)
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LFPAK33
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15000+:￥2.1451 3000+:￥2.3157 1500+:￥2.4376 500+:￥3.4126 200+:￥4.8752 10+:￥7.9344 |
7906 |
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油柑网
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PSMN4R2-30MLDX
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Nexperia(安世)
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LFPAK33-8
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1500+:￥2.277 500+:￥2.4156 100+:￥2.673 30+:￥3.15 10+:￥3.59 1+:￥4.48 |
437 |
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立即发货
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立创商城
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PSMN4R2-30MLDX
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NEXPERIA
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SOT1210
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1+:￥3.4852 |
100 |
2235
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现货最快4H发
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京北通宇
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 70A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.3 毫欧 @ 25A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 29.3 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1795 pF @ 15 V |
| FET 功能 | 肖特基二极管（体） |
| 功率耗散（最大值） | 65W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线） |