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SISA12ADN-T1-GE3
VISHAY(威世)
PowerPAK1212-8
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：25A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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Vishay(威世)
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PowerPAK® 1212-8
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3000+:￥0.924 1500+:￥1.056 750+:￥1.1176 100+:￥1.2408 40+:￥1.5576 |
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6000+:￥1.0532 3000+:￥1.1209 500+:￥1.2337 150+:￥1.5653 50+:￥1.779 5+:￥2.2777 |
7030 |
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京北通宇
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 25A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.3 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 45 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | +20V，-16V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2070 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 3.5W（Ta），28W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |