SI2309
BORN(伯恩半导体)
SOT-23-3L
¥0.1862
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场效应管(MOSFET)
数量:1个P沟道,漏源电压(Vdss):60V,连续漏极电流(Id):2A,导通电阻(RDS(on)):200mΩ@4.5V,1A
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BORN
SOT-23-3L

3000+:¥0.1862

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BORN(伯恩半导体)
SOT-23-3L

9000+:¥0.1936

6000+:¥0.2005

3000+:¥0.2108

300+:¥0.3182

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SI2309
BORN(伯恩)
SOT-23

3000+:¥0.2003

1200+:¥0.2993

600+:¥0.3023

100+:¥0.3362

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伯恩半导体(BORN)
SOT-23-3L

30000+:¥0.2203

6000+:¥0.2378

3000+:¥0.2503

800+:¥0.3504

100+:¥0.5006

20+:¥0.7759

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规格参数
属性 属性值
数量 1个P沟道
漏源电压(Vdss) 60V
连续漏极电流(Id) 2A
导通电阻(RDS(on)) 200mΩ@4.5V,1A