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SI2301CDS-T1-GE3
VISHAY(威世)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.1A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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VISHAY(威世)
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SOT-23-3（TO-236）
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3000+:￥0.195 1+:￥0.224 |
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25+
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圣禾堂
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VISHAY(威世)
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SOT-23
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9000+:￥0.198 6000+:￥0.2057 3000+:￥0.217 300+:￥0.252 100+:￥0.2918 10+:￥0.3692 |
181440 |
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立创商城
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Vishay(威世)
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SOT-23-3（TO-236）
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3000+:￥0.2028 1+:￥0.23296 |
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硬之城
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SOT23
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3000+:￥0.216 300+:￥0.251 100+:￥0.289 10+:￥0.362 |
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在芯间
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Vishay(威世)
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SOT-23
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3000+:￥0.2198 1500+:￥0.2301 600+:￥0.2467 200+:￥0.2675 50+:￥0.2882 10+:￥0.3131 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.1A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 112 毫欧 @ 2.8A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 10 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 405 pF @ 10 V |
| 功率耗散（最大值） | 860mW（Ta），1.6W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |