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IRFR5305TRPBF
Infineon(英飞凌)
DPAK(TO-252AA)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：55 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：31A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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IRFR5305TRPBF
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Infineon(英飞凌)
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DPAK(TO-252AA)
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1000+:￥1.1 500+:￥1.14 100+:￥1.23 30+:￥1.45 10+:￥1.7 1+:￥2.21 |
1411 |
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立创商城
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Infineon(英飞凌)
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TO-252(DPAK)
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1000+:￥1.1 500+:￥1.15 100+:￥1.25 30+:￥1.35 1+:￥1.4 |
2199 |
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华秋商城
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IRFR5305TRPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-252-3(DPAK)
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2000+:￥1.12 1+:￥1.19 |
13369 |
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Infineon(英飞凌)
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24+/25+
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在芯间
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Infineon(英飞凌)
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TO-252-2(DPAK)
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2000+:￥1.1648 1+:￥1.2376 |
6908 |
25+
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1-2工作日发货
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硬之城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 55 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 31A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 65 毫欧 @ 16A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 63 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1200 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 110W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |