咨询/建议
2N7002K-T1-GE3
VISHAY(威世)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：300mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
2N7002K-T1-GE3
|
VISHAY(威世)
|
SOT-23
|
9000+:￥0.1044 6000+:￥0.1078 3000+:￥0.1139 300+:￥0.1517 100+:￥0.1635 10+:￥0.1849 |
116280 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
|
2N7002K-T1-GE3
|
VISHAY(威世)
|
SOT-23(SOT-23-3)
|
3000+:￥0.124 1+:￥0.14 |
122035 |
23+
|
立即发货
|
圣禾堂
|
|
2N7002K-T1-GE3
|
Vishay(威世)
|
SOT-23-3
|
3000+:￥0.12896 1+:￥0.1456 |
2739 |
23+
|
1-2工作日发货
|
硬之城
|
|
2N7002K-T1-GE3
|
威世(VISHAY)
|
SOT-23
|
30000+:￥0.1364 6000+:￥0.1473 3000+:￥0.155 800+:￥0.217 100+:￥0.31 20+:￥0.4805 |
171 |
-
|
油柑网
|
|
|
2N7002K-T1-GE3
|
Vishay(威世)
|
SOT-23
|
1200+:￥0.1427 600+:￥0.1441 100+:￥0.1553 10+:￥0.1757 |
999 |
-
|
立即发货
|
华秋商城
|
点击查看更多
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 300mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2 欧姆 @ 500mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 0.6 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 30 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 350mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |