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AO3400A
UMW(友台半导体)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5.8A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，10V
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价格(含税)
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3000+:￥0.089 1+:￥0.112 |
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1000+:￥0.0922 500+:￥0.0963 100+:￥0.0996 1+:￥0.1079 |
2980 |
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3000+:￥0.09256 1+:￥0.11648 |
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硬之城
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UMW(友台半导体)
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21000+:￥0.0928 9000+:￥0.0975 3000+:￥0.1047 600+:￥0.125 200+:￥0.1489 20+:￥0.2025 |
1062340 |
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3000+:￥0.1005 1200+:￥0.12 300+:￥0.1429 20+:￥0.1944 |
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.8A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 27 毫欧 @ 5.8A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 12 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1050 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 1.4W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |