2N7002K
MDD(辰达行)
SOT-23
¥0.0385
814,115
场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):60V,连续漏极电流(Id):300mA,导通电阻(RDS(on)):1.9Ω@10V
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2N7002K
MDD(辰达半导体)
SOT-23

51000+:¥0.0385

24000+:¥0.0398

6000+:¥0.0419

3000+:¥0.0469

500+:¥0.0687

50+:¥0.0838

528700

-
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2N7002K
MDD
SOT-23

3000+:¥0.0402

1000+:¥0.041

100+:¥0.0422

1+:¥0.0429

870

250220
现货最快4H发
2N7002K
MDD(辰达半导体)
SOT-23

6000+:¥0.0413

3000+:¥0.0439

1000+:¥0.0458

500+:¥0.0495

200+:¥0.0533

20+:¥0.057

60073

-
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2N7002K
辰达半导体(MDD)
SOT-23

30000+:¥0.0429

6000+:¥0.0463

3000+:¥0.0487

800+:¥0.0682

100+:¥0.0974

20+:¥0.151

137484

-
2N7002K
MDD(辰达半导体)
SOT-23

3000+:¥0.05008

1+:¥0.06317

11948

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规格参数
属性 属性值
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 60V
连续漏极电流(Id) 300mA
导通电阻(RDS(on)) 1.9Ω@10V