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IRFR9024NTRPBF
Infineon(英飞凌)
DPAK(TO-252AA)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：55 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：11A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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价格(含税)
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Infineon(英飞凌)
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TO-252-3(DPAK)
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2000+:￥0.66 1+:￥0.716 |
82924 |
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圣禾堂
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TO-252-2(DPAK)
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2000+:￥0.6864 1+:￥0.74464 |
38087 |
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硬之城
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Infineon(英飞凌)
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DPAK(TO-252AA)
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4000+:￥0.7203 2000+:￥0.7441 500+:￥0.8458 150+:￥1.0103 50+:￥1.1752 5+:￥1.5131 |
195 |
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英飞凌(INFINEON)
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D-PAK
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20000+:￥0.726 4000+:￥0.7838 2000+:￥0.825 500+:￥1.155 200+:￥1.65 10+:￥2.6854 |
120000 |
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油柑网
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Infineon(英飞凌)
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TO-252AA
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1000+:￥0.7439 500+:￥0.78 100+:￥0.8522 30+:￥0.9244 1+:￥0.9605 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 55 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 11A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 175 毫欧 @ 6.6A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 19 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 350 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 38W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |