2N7002,215
Nexperia(安世)
SOT-23
¥0.051
15,711,273
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):300mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
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2N7002,215
Nexperia(安世)
SOT-23-3

3000+:¥0.051

1+:¥0.0643

670436

25+
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2N7002,215
Nexperia(安世)
SOT-23

51000+:¥0.0526

24000+:¥0.0549

6000+:¥0.0585

3000+:¥0.0673

500+:¥0.0791

50+:¥0.1057

136850

-
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Nexperia(安世)
SOT-23

3000+:¥0.05304

1+:¥0.06687

629443

25+
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2N7002,215
Nexperia(安世)
SOT-23

3000+:¥0.05693

5417405

24+25+
1-3工作日发货
2N7002,215
Nexperia(安世)
SOT-23

3000+:¥0.05815

5798105

25+24+22+
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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 300mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 5 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 50 pF @ 10 V
功率耗散(最大值) 830mW(Ta)
工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3