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Si2302CDS-T1-GE3
VISHAY(威世)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.6A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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渠道
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SI2302CDS-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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SOT-23-3（TO-236）
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3000+:￥0.212 1+:￥0.24 |
809350 |
25+
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圣禾堂
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Si2302CDS-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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SOT-23
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6000+:￥0.2157 3000+:￥0.2242 500+:￥0.2716 150+:￥0.3077 50+:￥0.3516 5+:￥0.4369 |
35185 |
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立创商城
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SI2302CDS-T1-GE3
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Vishay(威世)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.22048 1+:￥0.2496 |
807099 |
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硬之城
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SI2302CDS-T1-GE3
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Vishay(威世)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.22282 |
318480 |
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VISHAY(威世)
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SOT-23
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3000+:￥0.228 500+:￥0.267 100+:￥0.314 10+:￥0.438 |
2860 |
22+/24+
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在芯间
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.6A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 57 毫欧 @ 3.6A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 850mV @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 5.5 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±8V |
| 功率耗散（最大值） | 710mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |