LGE(鲁光)
GBU
¥0.73404
1385
正向压降(Vf):1.1V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:6A,反向电流(Ir):5uA
YFW(佑风微)
GBL
¥0.6272
445
正向压降(Vf):1.35V@8A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:8A,反向电流(Ir):5uA@1000V
FUXINSEMI(富芯森美)
GBU
¥0.76824
20
正向压降(Vf):1.2V@10A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:10A,反向电流(Ir):5uA
CJ(江苏长电/长晶)
JBSL
¥0.7262
1630
正向压降(Vf):1.3V@5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:5A,反向电流(Ir):5uA@1000V
晶导微电子
ULBF
¥0.77577
2425
正向压降(Vf):1V@5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:5A,反向电流(Ir):5uA@1000V
YANGJIE(扬杰)
GBP
¥0.9062
295
正向压降(Vf):1V@1A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA@800V
SHIKUES(时科)
ULBF
¥0.827
79
正向压降(Vf):1V,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:5A,反向电流(Ir):1uA
华轩阳
GBU
¥0.8789
0
正向压降(Vf):1.05V@10A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:25A,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):220A
YANGJIE(扬杰)
2KBJ
¥1.097
1210
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):2 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 1 A
YANGJIE(扬杰)
KBL
¥1.5369
486
正向压降(Vf):1.05V@6A,直流反向耐压(Vr):800V,反向电流(Ir):10uA@800V,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):135A
DIODES(美台)
4-SIP,KBP
¥1.04
903
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):50 V,电流 - 平均整流 (Io):2 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 2 A
LRC(乐山无线电)
GBU
¥0.9312
1500
正向压降(Vf):1.1V,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:4A,反向电流(Ir):5uA
LGE(鲁光)
GBU
¥1.1493
173
正向压降(Vf):1.1V@10A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3.5A,反向电流(Ir):5uA@1kV
YFW(佑风微)
GBU
¥1.053
94
正向压降(Vf):1.65V@5A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:5A,反向电流(Ir):5uA@600V
晶导微电子
GBU
¥1.2115
100
正向压降(Vf):1V@4A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:8A,反向电流(Ir):5uA@200V
LGE(鲁光)
KBU
¥1.206
52
正向压降(Vf):1.1V@10A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:10A,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):220A
YANGJIE(扬杰)
GBU
¥0.70588
1758
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):6 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 3 A
YFW(佑风微)
KBU
¥1.254
135
正向压降(Vf):1V@4A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:8A,反向电流(Ir):10uA
CJ(江苏长电/长晶)
GBU
¥1.3157
270
正向压降(Vf):1V@4A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:2.9A,反向电流(Ir):10uA@100V
YANGJIE(扬杰)
KBU
¥1.3
400
二极管类型:Single Phase,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):8 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 4 A
CJ(江苏长电/长晶)
GBU
¥1.3297
100
正向压降(Vf):1V@5A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:10A,反向电流(Ir):10uA@200V
CJ(江苏长电/长晶)
KBL
¥1.3308
365
正向压降(Vf):1.1V@6A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:6A,反向电流(Ir):10uA@400V
LRC(乐山无线电)
KBJ
¥1.3532
0
正向压降(Vf):1.1V,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:4A,反向电流(Ir):5uA
GOODWORK(固得沃克)
GBJ
¥1.4875
294
正向压降(Vf):1.05V@17.5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:35A,反向电流(Ir):10A@1kV
CJ(江苏长电/长晶)
KBU
¥1.43
37
正向压降(Vf):1V@5A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:10A,反向电流(Ir):10uA@800V
YANGJIE(扬杰)
GBU
¥1.459
14
正向压降(Vf):1V@5A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:3.6A,反向电流(Ir):5uA@600V
YANGJIE(扬杰)
JB
¥1.5053
10
正向压降(Vf):1V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:6A,反向电流(Ir):5uA@1kV
YANGJIE(扬杰)
6KBJ
¥1.66
376
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):20 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 1 A
YANGJIE(扬杰)
KBL
¥1.5594
36
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):6 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.05 V @ 6 A
YANGJIE(扬杰)
GBU
¥1.89
21
正向压降(Vf):1V@12.5A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:3.5A,反向电流(Ir):5uA@400V
LGE(鲁光)
KBU
¥1.6
559
正向压降(Vf):1V@8A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:8A,反向电流(Ir):5uA@600V
CJ(江苏长电/长晶)
6GBJ
¥1.6
240
直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:20A,反向电流(Ir):10uA@600V,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):300A
CJ(江苏长电/长晶)
6GBJ
¥1.63
28
正向压降(Vf):1V@10A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:20A,反向电流(Ir):10uA@800V
YANGJIE(扬杰)
JA
¥1.127
684
正向压降(Vf):1V@7.5A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:15A,反向电流(Ir):5uA@800V
DIODES(美台)
GBU
¥2
212
正向压降(Vf):1.1V@7.5A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:15A,反向电流(Ir):5uA@800V
BOURNS(伯恩斯)
芯片,凹面端子
¥1.39
39
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):1 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 1 A
YANGJIE(扬杰)
6KBJ
¥2.04
1
正向压降(Vf):1V@17.5A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:35A,反向电流(Ir):5uA@800V
GOODWORK(固得沃克)
GBJ
¥2.28
428
正向压降(Vf):1.2V@25A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:50A,反向电流(Ir):10A@1kV
YANGJIE(扬杰)
6KBJ
¥2.38
13
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):15 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 7.5 A
Digi-Key 停止提供
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
SO-8
¥2.11
3
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):530 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.71 V @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
4-SIP,GBU
¥2.58
3224
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):8 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 4 A
VISHAY(威世)
4-圆形,WOG
¥2.86
96
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):800 V,电流 - 平均整流 (Io):1.5 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 1 A
YANGJIE(扬杰)
BR-W
¥5.07
45
正向压降(Vf):1.1V@12.5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:25A,反向电流(Ir):10uA@1kV
DIODES(美台)
4-SIP,GBJ
¥3.5
0
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):15 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.05 V @ 7.5 A
LGE(鲁光)
KBPC
¥3.7
54
正向压降(Vf):1.1V@17.5A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:35A,反向电流(Ir):10uA@400V
GOODWORK(固得沃克)
BR
¥4.16
4
正向压降(Vf):1.2V@25A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:50A,反向电流(Ir):10A@1kV
YANGJIE(扬杰)
PB
¥3.73
666
正向压降(Vf):1V@17.5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:4.2A,反向电流(Ir):5uA@1kV
YANGJIE(扬杰)
GBPC-W
¥5.05882
104
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):35 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 17.5 A
onsemi(安森美)
4-SIP,GBU
¥4.785
11
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):6 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 6 A
DIODES(美台)
4-SIP,GBJ
¥5.02
269
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):20 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.05 V @ 10 A