CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.0311
2272245
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:150mA
MDD(辰达行)
SMA(DO-214AC)
¥0.0765
3655450
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
ST(先科)
SOD-123
¥0.0288
3469409
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@50mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA
Hottech(合科泰)
SOD-323
¥0.02574
2885361
正向压降(Vf):600mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):25A
MDD(辰达行)
SMA(DO-214AC)
¥0.0233
6555277
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
MDD(辰达行)
SMA(DO-214AC)
¥0.1216
1521868
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A
MDD(辰达行)
SMA(DO-214AC)
¥0.0374
1896326
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.0792
1950043
正向压降(Vf):600mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):9A
TWGMC(台湾迪嘉)
SMA(DO-214AC)
¥0.01679
3300745
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.0311
4077094
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:150mA
MDD(辰达行)
SOD-123FL
¥0.0169
3137435
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
MDD(辰达行)
SMA
¥0.0275
1899673
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.65V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
Nexperia(安世)
SOT-23
¥0.021384
4818614
二极管配置:1 对串联,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):215mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
MDD(辰达行)
SMA(DO-214AC)
¥0.0681
794082
正向压降(Vf):850mV@2A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:2A,反向电流(Ir):500uA@100V
MDD(辰达行)
LL-34
¥0.0212
1965818
正向压降(Vf):1V@10mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:200mA,耗散功率(Pd):500mW
MDD(辰达行)
SMA(DO-214AC)
¥0.1031
349399
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.092
6901944
技术:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):450 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOT-23
¥0.0283
2400157
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 100 mA
MDD(辰达行)
MBS
¥0.0476
821528
正向压降(Vf):1.1V@400mA,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@1kV
MSKSEMI(美森科)
SOD-123FL
¥0.0133
2371184
正向压降(Vf):1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@1kV
JSMSEMI(杰盛微)
SOD-123
¥0.01962
426449
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):600mV@200mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:350mA
MDD(辰达行)
SOD-123
¥0.0484
1439425
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):600mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.0496
69619
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):70V,整流电流:200mA
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.0811
530094
正向压降(Vf):600mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
TWGMC(台湾迪嘉)
SMA(DO-214AC)
¥0.073245
634797
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
DIODES(美台)
SMA(DO-214AC)
¥0.1982
3090649
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOT-23
¥0.0274
6489417
二极管配置:1 对串联,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 100 mA
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.0604
134853
正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):2uA@25V
KUU(永裕泰)
SOD-123FL
¥0.025482
636322
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.0458
15082946
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):300mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
onsemi(安森美)
SOD-523F
¥0.0933
344646
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 10 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
KEXIN(科信)
DO-214AC(SMA)
¥0.053
243746
正向压降(Vf):500mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,工作结温范围:-60℃~+125℃
BORN(伯恩半导体)
SOD-123FL
¥0.1229
277731
正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A,反向电流(Ir):500uA@40V
MDD(辰达行)
SMA(DO-214AC)
¥0.0847
589801
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@3A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:3A
MSKSEMI(美森科)
SMA(DO-214AC)
¥0.057
577781
正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A,反向电流(Ir):500uA@40V
JSMSEMI(杰盛微)
SOT-23
¥0.024
607721
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):800mV@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
TOSHIBA(东芝)
SC-76(SOD-323)
¥0.1617
791160
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):230 mV @ 100 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
LGE(鲁光)
DO-35
¥0.02376
343251
正向压降(Vf):1V@10mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA,耗散功率(Pd):500mW
Slkor(萨科微)
SOD-123FL
¥0.01349
353822
二极管配置:1个独立式,正向压降(Vf):1.3V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
DIODES(美台)
SMC(DO-214AB)
¥0.3504
297055
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MSKSEMI(美森科)
DO-214AC
¥0.016815
2779173
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@1kV
华轩阳
SOD-123
¥0.018335
425343
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):600mV@200mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:350mA
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.0409
491953
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):70V,整流电流:200mA
MSKSEMI(美森科)
DO-214AC(SMA)
¥0.0208
271410
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
MDD(辰达行)
SMA(DO-214AC)
¥0.0593
826807
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@2A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A
ST(先科)
LL-34
¥0.0198
2678657
正向压降(Vf):1V@10mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:200mA,耗散功率(Pd):500mW
FUXINSEMI(富芯森美)
SMA(DO-214AC)
¥0.07092
181567
正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A,反向电流(Ir):500uA@40V
MDD(辰达行)
SOD-123FL
¥0.0803
875200
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
DIODES(美台)
SMC(DO-214AB)
¥0.448
137830
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):700 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
JSMSEMI(杰盛微)
SOD-323
¥0.0281
377315
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):600mV@200mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:350mA