MDD(辰达行)
MBS
¥0.0476
821528
正向压降(Vf):1.1V@400mA,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@1kV
MDD(辰达行)
DBS
¥0.1598
182736
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):10uA@1kV
MDD(辰达行)
MBS
¥0.0472
677103
正向压降(Vf):1.1V@400mA,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@600V
MDD(辰达行)
DBS
¥0.2057
94211
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A,反向电流(Ir):10uA@1kV
GOODWORK(固得沃克)
ABS
¥0.0637
266724
正向压降(Vf):1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA@1kV
Hottech(合科泰)
MBS
¥0.04123
259163
正向压降(Vf):1V@0.5A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:800mA,反向电流(Ir):5uA
Hottech(合科泰)
MBF
¥0.03621
128947
正向压降(Vf):1.1V@800mA,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:800mA,反向电流(Ir):5uA@1kV
MDD(辰达行)
KBP
¥0.24841
109695
正向压降(Vf):1.1V@3A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:30A,反向电流(Ir):10uA@600V
GOODWORK(固得沃克)
DBS
¥0.16
60139
正向压降(Vf):1.1V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A,反向电流(Ir):5uA@1000V
MDD(辰达行)
KBP
¥0.26
69194
正向压降(Vf):1.1V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:30A,反向电流(Ir):10uA@1kV
MDD(辰达行)
GBJ6
¥1.29265
25992
正向压降(Vf):1V@12.5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:25A,反向电流(Ir):10uA@1kV
Hottech(合科泰)
MBS
¥0.0373
116977
正向压降(Vf):1.1V@0.8A,直流反向耐压(Vr):1kV,反向电流(Ir):5uA@1000V,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):30A
GOODWORK(固得沃克)
MBF
¥0.04009
122608
正向压降(Vf):1V@0.5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@1000V
MDD(辰达行)
WOM
¥0.341
54908
正向压降(Vf):1V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A,反向电流(Ir):10uA@1kV
MDD(辰达行)
KBP
¥0.23424
77441
正向压降(Vf):1.1V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A,反向电流(Ir):10uA@1kV
MDD(辰达行)
ABS
¥0.07173
490529
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@1kV
Hottech(合科泰)
DBS
¥0.10501
64880
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):10uA@1kV
MDD(辰达行)
GBU
¥0.6578
52786
正向压降(Vf):1V@4A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:8A,反向电流(Ir):10uA@1kV
MDD(辰达行)
ABS
¥0.105
263565
直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA@1kV,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):50A
GOODWORK(固得沃克)
ABS
¥0.05328
210416
正向压降(Vf):1V@400mA,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@1kV
MDD(辰达行)
DB
¥0.156
93593
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):10uA@1kV
不适用于新设计
onsemi(安森美)
TO-269AA,4-BESOP
¥0.75
43638
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):500 mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 500 mA
UMW(友台半导体)
SOP-4
¥0.04337
17261
正向压降(Vf):1V@0.5A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:800mA,反向电流(Ir):10uA
KUU(永裕泰)
MBS
¥0.0373
681798
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:800mA,反向电流(Ir):5uA@600V
晶导微电子
ABS
¥0.1045
756337
正向压降(Vf):1V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA@1kV
MDD(辰达行)
GBU
¥0.638
20744
正向压降(Vf):1V@4A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:8A,反向电流(Ir):10uA@800V
Hottech(合科泰)
ABS
¥0.07427
47765
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A,反向电流(Ir):10uA@1kV
YANGJIE(扬杰)
MBS
¥0.07758
14698
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):500 mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 400 mA
MDD(辰达行)
MBF
¥0.0429
235375
正向压降(Vf):1.1V@500mA,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@1kV
MDD(辰达行)
DBS
¥0.297
11647
正向压降(Vf):1.1V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A,反向电流(Ir):10uA@1kV
MDD(辰达行)
KBP
¥0.2344
28459
正向压降(Vf):1.1V@2A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:2A,反向电流(Ir):10uA@600V
晶导微电子
MBF
¥0.0435
2583422
正向压降(Vf):1.1V@800mA,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:800mA,反向电流(Ir):5uA@1000V
MDD(辰达行)
KBL
¥0.6061
35921
正向压降(Vf):1.1V@4A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:4A,反向电流(Ir):10uA@1kV
MDD(辰达行)
GBU
¥0.7634
10939
正向压降(Vf):1.1V@5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:10A,反向电流(Ir):10uA@1kV
GOODWORK(固得沃克)
MBF
¥0.0324
75540
正向压降(Vf):1V@300mA,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:600mA,反向电流(Ir):5uA@1kV
KUU(永裕泰)
SOP-4
¥0.06644
70074
正向压降(Vf):1V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA@1kV
Hottech(合科泰)
DBS
¥0.0971
55455
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,反向电流(Ir):10uA,工作结温范围:-55℃~+150℃
SHIKUES(时科)
MBS
¥0.571
9678
正向压降(Vf):850mV@3A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:3A,反向电流(Ir):300uA@100V
晶导微电子
MBS
¥0.0488
257901
正向压降(Vf):1.1V@800mA,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:800mA,反向电流(Ir):5uA@200V
Slkor(萨科微)
DBS
¥0.140505
48823
正向压降(Vf):1.1V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A,反向电流(Ir):10uA@1kV
不适用于新设计
onsemi(安森美)
SOIC-4
¥0.84656
2697
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):500 mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 500 mA
MDD(辰达行)
KBU
¥1.0506
4596
正向压降(Vf):1V@6A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:10A,反向电流(Ir):10uA@1kV
TWGMC(台湾迪嘉)
MBS
¥0.058
90494
正向压降(Vf):1V@400mA,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:800mA,反向电流(Ir):5uA
DIODES(美台)
SOPA-4
¥0.3107
81261
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):2 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 2 A
GOODWORK(固得沃克)
GBJ
¥1.408
4234
正向压降(Vf):1.05V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:25A,反向电流(Ir):10A@1kV
ST(先科)
MBS
¥0.13728
8198
正向压降(Vf):1V@500mA,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:500mA,反向电流(Ir):5uA@600V
MDD(辰达行)
KBL
¥0.62808
4057
正向压降(Vf):1.1V@6A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:6A,反向电流(Ir):10uA@800V
晶导微电子
UMSB
¥1.5
15171
正向压降(Vf):590mV@5A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:5A,反向电流(Ir):300uA@60V
华轩阳
MBS
¥0.03578
26962
正向压降(Vf):1V@400mA,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:800mA,反向电流(Ir):5uA@600V
TWGMC(台湾迪嘉)
MBS
¥0.05013
55317
正向压降(Vf):1V@400mA,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:500mA,反向电流(Ir):5uA