MDD(辰达行)
KBL
¥0.6061
4364
正向压降(Vf):1.1V@4A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:4A,反向电流(Ir):10uA@600V
GOODWORK(固得沃克)
MBS
¥0.04032
17907
正向压降(Vf):1V@400mA,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:800mA,反向电流(Ir):5uA@600V
华轩阳
MBF
¥0.0437
45550
正向压降(Vf):1.1V@500mA,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@1kV
GOODWORK(固得沃克)
UMSB
¥0.2646
11105
正向压降(Vf):1.1V@4A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:4A,反向电流(Ir):5uA@1000V
GOODWORK(固得沃克)
DBS
¥0.141355
10620
正向压降(Vf):1.1V@1.5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA@1kV
MDD(辰达行)
UMSB
¥0.3631
38765
正向压降(Vf):1.1V@4A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:4A,反向电流(Ir):5uA@1kV
晶导微电子
ABS
¥0.564
13440
正向压降(Vf):850mV@3A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:3A,反向电流(Ir):300uA@100V
MDD(辰达行)
KBU
¥0.95472
5342
正向压降(Vf):1.1V@8A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:8A,反向电流(Ir):10uA@800V
YANGJIE(扬杰)
YBS
¥0.2912
13708
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):3 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 1.5 A
CJ(江苏长电/长晶)
DBS
¥0.3796
2620
正向压降(Vf):1.1V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A,反向电流(Ir):10uA@1000V
MDD(辰达行)
TTF
¥0.8586
43678
正向压降(Vf):950mV@4A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:8A,反向电流(Ir):150nA@1kV
MDD(辰达行)
KBPC-25
¥4.03
1068
正向压降(Vf):1.1V@25A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:50A,反向电流(Ir):10uA@1kV
MCC(美微科)
MBS
¥0.12
44144
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):500 mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 400 mA
BORN(伯恩半导体)
GBJ
¥1.5496
5030
正向压降(Vf):1.05V@17.5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:35A,反向电流(Ir):5uA@1000V
MDD(辰达行)
KBU
¥0.8997
9939
正向压降(Vf):1.1V@8A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:8A,反向电流(Ir):10uA@1kV
晶导微电子
MBS
¥0.0484
1964363
正向压降(Vf):1.1V@800mA,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:800mA,反向电流(Ir):5uA@1000V
DIODES(美台)
MBF
¥0.39
7644
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):800 mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 800 mA
MCC(美微科)
TO-269AA,4-BESOP
¥0.10712
8793
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):500 mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 400 mA
晶导微电子
MBS
¥0.308
41828
正向压降(Vf):550mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,反向电流(Ir):300uA@40V
DIODES(美台)
SOPA-4
¥0.299
34494
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):1 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A
VISHAY(威世)
TO-269AA
¥0.556
990148
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):500 mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 400 mA
MDD(辰达行)
BR-8
¥1.23
917
正向压降(Vf):1V@5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:10A,反向电流(Ir):10uA@1kV
MDD(辰达行)
GBJ
¥2.4024
5173
正向压降(Vf):1.1V@25A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:50A,反向电流(Ir):10uA@1kV
UMW(友台半导体)
SOP-4
¥0.0519
6698
正向压降(Vf):1V@0.5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:800mA,反向电流(Ir):10uA
BORN(伯恩半导体)
KBP
¥0.367816
9439
正向压降(Vf):1V@6A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:6A,反向电流(Ir):5uA@1000V
晶导微电子
MBS
¥0.0495
84261
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@1000V
MDD(辰达行)
TTF
¥0.759
25247
正向压降(Vf):1V@4A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:8A,反向电流(Ir):5uA@1kV
晶导微电子
MBS
¥0.05086
190994
正向压降(Vf):1.1V@800mA,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:800mA,反向电流(Ir):5uA@800V
BORN(伯恩半导体)
MBS
¥0.083248
24040
正向压降(Vf):1V@500mA,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:800mA,反向电流(Ir):5uA@1kV
MDD(辰达行)
MBS
¥0.4698
2003
正向压降(Vf):850mV@1A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:1A,反向电流(Ir):200uA@100V
MDD(辰达行)
GBU
¥0.565
7776
正向压降(Vf):1.1V@4A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:4A,反向电流(Ir):10uA@600V
BORN(伯恩半导体)
GBJ
¥1.61
1213
正向压降(Vf):1.1V@25A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:50A,反向电流(Ir):5uA@1000V
FUXINSEMI(富芯森美)
MBS
¥0.2117
9200
正向压降(Vf):550mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,反向电流(Ir):100uA
晶导微电子
UMB
¥0.0572
1742182
正向压降(Vf):1.1V@800mA,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:800mA,反向电流(Ir):3uA@1000V
LGE(鲁光)
MBS
¥0.0742
88710
正向压降(Vf):1V@400mA,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:800mA,反向电流(Ir):5uA@600V
KUU(永裕泰)
DBS
¥0.095697
41280
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):10uA@1kV
晶导微电子
UMSB
¥0.308
29254
正向压降(Vf):1.1V@5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:5A,反向电流(Ir):5uA@1000V
MDD(辰达行)
MBS
¥0.424
4370
正向压降(Vf):700mV@2A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:2A,反向电流(Ir):500uA@60V
DIODES(美台)
MBS
¥0.494
100479
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):800 mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 400 mA
GOODWORK(固得沃克)
DBS
¥0.10944
52620
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5A@1kV
不适用于新设计
onsemi(安森美)
SDIP-4
¥1.7947
45279
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):1.5 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1.5 A
YANGJIE(扬杰)
MBLS
¥0.0807
10475
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):800 mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 500 mA
MDD(辰达行)
DBS
¥0.2001
16394
正向压降(Vf):1.1V@1.5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1.5A,反向电流(Ir):10uA@1kV
SHIKUES(时科)
MBS
¥0.4731
6945
正向压降(Vf):850mV@2A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:2A,反向电流(Ir):300uA@100V
JUXING(钜兴)
GBJ
¥1.84
250
正向压降(Vf):1.1V@25A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:50A,反向电流(Ir):10uA@1kV
JUXING(钜兴)
DBS
¥0.112
14994
正向压降(Vf):1.1V,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A,反向电流(Ir):10uA
晶导微电子
MBS
¥0.4004
23184
正向压降(Vf):850mV@1A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:1A,反向电流(Ir):200uA@100V
MDD(辰达行)
MBF
¥0.4945
1680
正向压降(Vf):550mV@2A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A,反向电流(Ir):500uA@40V
YANGJIE(扬杰)
6KBJ
¥1.1752
14621
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):25 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 12.5 A
BLUE ROCKET(蓝箭)
MBS
¥0.0811
3100
正向压降(Vf):1.1V@800mA,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:800mA,反向电流(Ir):5uA@1kV