晶导微电子
ABS
¥0.11143
10050
正向压降(Vf):1.1V@1.2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1.2A,反向电流(Ir):5uA@1000V
CJ(江苏长电/长晶)
MBF
¥0.096
0
正向压降(Vf):1V@0.4A,直流反向耐压(Vr):50V,整流电流:800mA,反向电流(Ir):5uA@50V
BLUE ROCKET(蓝箭)
MBF
¥0.1028
2940
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@1kV
YANGJIE(扬杰)
MBS
¥0.1088
0
正向压降(Vf):1V@400mA,直流反向耐压(Vr):600V,反向电流(Ir):5uA@600V,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):30A
YFW(佑风微)
MBM
¥0.1175
60
正向压降(Vf):1V@0.5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:800mA,反向电流(Ir):5uA
DOWO(东沃)
DB-S
¥0.1531
3560
正向压降(Vf):1.1V@2.0A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A,反向电流(Ir):10uA
BLUE ROCKET(蓝箭)
ABS
¥0.1415
4680
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@1kV
YFW(佑风微)
DB-1
¥0.14624
2190
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@1000V
华轩阳
DBS
¥0.195415
350
正向压降(Vf):1.1V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):60A
不适用于新设计
MCC(美微科)
MBS-1
¥0.196
911
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):500 mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 400 mA
YFW(佑风微)
DBS
¥0.21573
1300
正向压降(Vf):1.15V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A,反向电流(Ir):5uA@1kV
Slkor(萨科微)
DF-S
¥0.1596
70
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:1A,反向电流(Ir):10uA@200V
YANGJIE(扬杰)
MBS
¥0.1613
3
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):800 mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 500 mA
SHIKUES(时科)
ABS
¥0.249945
3590
正向压降(Vf):950mV@2A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA@100V
BORN(伯恩半导体)
KBP
¥0.25857
855
正向压降(Vf):1.1V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A,反向电流(Ir):5uA@1000V
DOWO(东沃)
KBP
¥0.3235
425
直流反向耐压(Vr):1kV
FUXINSEMI(富芯森美)
KBP
¥0.2703
545
正向压降(Vf):1.1V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A,反向电流(Ir):5uA
晶导微电子
UMSB
¥0.33
31010
正向压降(Vf):1.3V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A,反向电流(Ir):5uA@1000V
华轩阳
KBP
¥0.29096
655
正向压降(Vf):1.1V@3A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:3A,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):80A
华轩阳
GBP
¥0.34105
375
正向压降(Vf):1.1V@4A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:4A,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):125A
华轩阳
KBP
¥0.341
275
正向压降(Vf):1.1V@4A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:4A,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):150A
YANGJIE(扬杰)
YBS
¥0.63399
8000
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):2 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 1 A
晶导微电子
ABS
¥0.4024
10622
正向压降(Vf):850mV@2A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:2A,反向电流(Ir):300uA@100V
CJ(江苏长电/长晶)
JBF
¥0.3995
0
正向压降(Vf):1V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A,反向电流(Ir):5uA@1000V
Slkor(萨科微)
KBP
¥0.2938
0
正向压降(Vf):1.1V@2A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:2A,反向电流(Ir):10uA@400V
LGE(鲁光)
GBP
¥0.4194
285
正向压降(Vf):1.1V@4A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:4A,反向电流(Ir):5uA@1kV
MDD(辰达行)
KBJ-4
¥0.42625
45
正向压降(Vf):1V@2A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:4A,反向电流(Ir):10uA@600V
华轩阳
GBU
¥0.60268
380
正向压降(Vf):1.1V@8A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:8A,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):200A
JUXING(钜兴)
GBU
¥0.56196
250
正向压降(Vf):1.1V@10A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:10A,反向电流(Ir):5uA@1kV
YFW(佑风微)
GBL
¥0.4912
1460
正向压降(Vf):1.1V@4A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:4A,反向电流(Ir):10uA@1kV
DIODES(美台)
DF-S
¥0.625
48831
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):1 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A
DIODES(美台)
4-EDIP(0.300",7.62mm)
¥0.646
3457
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):1 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A
CJ(江苏长电/长晶)
GBP
¥0.4856
5
正向压降(Vf):1.1V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A,反向电流(Ir):10uA@1000V
LGE(鲁光)
KBL
¥0.68157
1485
正向压降(Vf):1.1V@4A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:4A,反向电流(Ir):10uA@1kV
DIODES(美台)
SMD-4P
¥0.6991
5
正向压降(Vf):1.1V@1.5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1.5A,反向电流(Ir):5uA@1kV
DIODES(美台)
4-SMD,鸥翼
¥0.732
463
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):1 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A
LGE(鲁光)
GBU
¥0.78642
560
正向压降(Vf):1.1V@8A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:8A,反向电流(Ir):5uA@1kV
YANGJIE(扬杰)
2KBJ
¥0.8165
0
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):800 V,电流 - 平均整流 (Io):2 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 1 A
YANGJIE(扬杰)
KBL
¥0.82
0
正向压降(Vf):1.05V@6A,直流反向耐压(Vr):600V,反向电流(Ir):10uA@600V,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):135A
DIODES(美台)
MiniDIP
¥0.7035
9848
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):500 mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.15 V @ 400 mA
YANGJIE(扬杰)
GBP
¥0.52955
710
正向压降(Vf):1V@2A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:4A,反向电流(Ir):5uA@600V
YFW(佑风微)
KBPC
¥1.0001
470
正向压降(Vf):11V@3.0A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:6A,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):125A
LGE(鲁光)
GBU
¥0.98559
540
正向压降(Vf):1.1V@15A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:15A,工作结温范围:-55℃~+150℃
LRC(乐山无线电)
GBL
¥0.9619
240
正向压降(Vf):1.05V,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A,反向电流(Ir):500uA
MDD(辰达行)
BR-6
¥1.0555
25
正向压降(Vf):1V@3A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:6A,反向电流(Ir):10uA@800V
CJ(江苏长电/长晶)
GBU
¥1.4292
230
直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:10A,反向电流(Ir):10uA@1000V,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):220A
YFW(佑风微)
KBU
¥1.121
798
正向压降(Vf):1V@4A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:8A,反向电流(Ir):10uA@1kV
LGE(鲁光)
GBU
¥1.11186
74
正向压降(Vf):1.1V@15A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:15A,反向电流(Ir):5uA
YANGJIE(扬杰)
JB
¥1.4362
330
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):10 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 5 A
LRC(乐山无线电)
GBU
¥1.2212
135