YANGJIE(扬杰)
KBL
¥0.95819
2827
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):4 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.05 V @ 2 A
GOODWORK(固得沃克)
KBU
¥0.94915
65
正向压降(Vf):1.05V@7.5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:15A,反向电流(Ir):10uA@1000V
YANGJIE(扬杰)
2KBJ
¥0.9675
0
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):6 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 3 A
YFW(佑风微)
TTF
¥1.243
1640
正向压降(Vf):1V@5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:5A,反向电流(Ir):1uA@1kV
YANGJIE(扬杰)
2KBJ
¥1.01
1343
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):800 V,电流 - 平均整流 (Io):4 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 2 A
晶导微电子
ULBF
¥1.017
2740
正向压降(Vf):1V@6A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:6A,反向电流(Ir):5uA@1000V
晶导微电子
GBU
¥1.1486
2100
正向压降(Vf):1V@7.5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:15A,反向电流(Ir):5uA@1000V
CJ(江苏长电/长晶)
GBU
¥1.0424
0
正向压降(Vf):1V@7.5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3.2A,反向电流(Ir):10uA@1000V
LGE(鲁光)
GBJ
¥1.053
170
正向压降(Vf):1.1V@8A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:8A,反向电流(Ir):5uA
YANGJIE(扬杰)
4KBJ
¥0.868
611
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):6 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 3 A
晶导微电子
GBU
¥1.069
10
正向压降(Vf):1V@3A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:6A,反向电流(Ir):5uA@200V
CJ(江苏长电/长晶)
GBU
¥1.1013
270
正向压降(Vf):1V@2A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:4A,反向电流(Ir):10uA@200V
晶导微电子
GBU
¥1.1254
100
正向压降(Vf):1V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:6A,反向电流(Ir):5uA@1000V
VISHAY(威世)
4-SMD,鸥翼
¥1.13
11874
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):1 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A
CJ(江苏长电/长晶)
KBL
¥1.1463
115
正向压降(Vf):1.1V@4.0A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:4A,反向电流(Ir):10uA@200V
YFW(佑风微)
KBJ
¥1.22
250
正向压降(Vf):1V@4.0A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:8A,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):200A
BORN(伯恩半导体)
GBJ
¥1.2255
1170
正向压降(Vf):1.1V@25A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:25A,反向电流(Ir):5uA@1000V
FUXINSEMI(富芯森美)
GBJ
¥1.224
233
正向压降(Vf):1.1V@12.5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:25A,反向电流(Ir):10uA
YANGJIE(扬杰)
2KBJ
¥0.8961
1
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):4 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 2 A
LGE(鲁光)
GBU
¥1.17
585
正向压降(Vf):1.1V@25A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:25A,工作结温范围:-55℃~+150℃
停产
onsemi(安森美)
DIP-4
¥1.241
0
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):1.5 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A
晶导微电子
GBU
¥1.2636
50
正向压降(Vf):1V@2A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:2.4A,反向电流(Ir):5uA@100V
CJ(江苏长电/长晶)
GBU
¥0.8982
0
直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:8A,反向电流(Ir):10uA@200V,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):200A
YANGJIE(扬杰)
2KBJ
¥0.67361
77
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):2 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 1 A
CJ(江苏长电/长晶)
KBU
¥1.88
80
正向压降(Vf):1V@6A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:6A,反向电流(Ir):10uA@800V
CJ(江苏长电/长晶)
KBL
¥1.3297
365
正向压降(Vf):1.1V@6A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:6A,反向电流(Ir):10uA@200V
VISHAY(威世)
4-SMD,鸥翼
¥1.31
1664
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):1 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A
YANGJIE(扬杰)
YBS3
¥1.36
1395
正向压降(Vf):1.3V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:6A,反向电流(Ir):5uA
YANGJIE(扬杰)
4KBJ
¥1.4
969
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):15 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 7.5 A
YANGJIE(扬杰)
2KBJ
¥0.69307
132
正向压降(Vf):1V@2A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:4A,反向电流(Ir):5uA@600V
PANJIT(强茂)
GBL
¥1.6418
575
正向压降(Vf):1.1V@4A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:4A,反向电流(Ir):5uA@600V
晶导微电子
GBJ
¥1.43
412
直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:25A,反向电流(Ir):5uA@1000V,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):270A
YANGJIE(扬杰)
KBPC6
¥1.3662
302
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):800 V,电流 - 平均整流 (Io):6 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 3 A
YFW(佑风微)
GBJ
¥1.232
197
正向压降(Vf):1V@7.5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:15A,反向电流(Ir):5uA@1kV
LGE(鲁光)
GBJ
¥1.35
32
正向压降(Vf):1V@10A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:10A,反向电流(Ir):10uA@600V
CJ(江苏长电/长晶)
GBU
¥1.65
24
正向压降(Vf):1.1V@10A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:20A,反向电流(Ir):10uA@800V
PANJIT(强茂)
GBU
¥1.7
34
正向压降(Vf):1.1V@6A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:6A,反向电流(Ir):5uA@1kV
晶导微电子
GBJ
¥1.71
39
正向压降(Vf):1V@7.5A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:15A,反向电流(Ir):5uA@200V
VISHAY(威世)
4-圆形,WOG
¥2.3
101
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):50 V,电流 - 平均整流 (Io):1.5 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 1 A
CJ(江苏长电/长晶)
6GBJ
¥1.69
0
正向压降(Vf):1V@12.5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:25A,反向电流(Ir):10uA@100V
VISHAY(威世)
4-圆形,WOG
¥1.77
0
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):1.5 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 1 A
YANGJIE(扬杰)
KBU
¥1.57
1
正向压降(Vf):1.1V@4A,直流反向耐压(Vr):800V,反向电流(Ir):10uA@800V,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):150A
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
TS4B
¥1.37
0
YANGJIE(扬杰)
KBU
¥1.95
45
二极管类型:Single Phase,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):4 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 2 A
CJ(江苏长电/长晶)
KBU
¥1.46
400
直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:8A,反向电流(Ir):10uA@1000V,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):200A
DIODES(美台)
GBU
¥4.58
13
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):6 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 3 A
onsemi(安森美)
4-SMD,鸥翼
¥2.407
17
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):1 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A
CJ(江苏长电/长晶)
6GBJ
¥2.01
0
正向压降(Vf):1V@17.5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:35A,反向电流(Ir):5uA@1000V
YANGJIE(扬杰)
GBPC-W
¥4.42
0
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):800 V,电流 - 平均整流 (Io):35 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 17.5 A
YANGJIE(扬杰)
KBPC
¥4.57
27
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):50 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 25 A