DIODES(美台)
-
¥5.29
10
onsemi(安森美)
4-EDIP(0.300",7.62mm)
¥1.65
0
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):1.5 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A
onsemi(安森美)
4-EDIP(0.300",7.62mm)
¥3.35
0
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):1.5 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A
onsemi(安森美)
4-SIP,TS-6P
¥8.19395
0
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):20 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 20 A
onsemi(安森美)
4-SIP,GBU
¥7.872
20
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):8 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 8 A
不适用于新设计
onsemi(安森美)
GBPC-W
¥21.1371
0
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):25 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 7.5 A
CJ(江苏长电/长晶)
GBU
¥1.65
2
直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:20A,反向电流(Ir):10uA@1000V,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):260A
VISHAY(威世)
4-SMD,鸥翼
¥5.9
0
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):1 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
DBLS
¥1.1716
4
正向压降(Vf):1.15V@2A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:2A,反向电流(Ir):2uA@200V
Comchip(典琦)
TO-269AA,4-BESOP
¥5.25
0
二极管类型:单相,技术:肖特基,电压 - 峰值反向(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):2 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 1 A
VISHAY(威世)
4-SIP,GSIB-5S
¥9.635
10
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):3.5 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 12.5 A
Littelfuse(美国力特)
V1-A
¥198.378
0
二极管类型:Three Phase,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):800 V,电流 - 平均整流 (Io):82 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.14 V @ 30 A
YANGJIE(扬杰)
DBS
¥0.447
15
正向压降(Vf):1V@500mA,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@600V
YANGJIE(扬杰)
KBPC-W
¥2.75
1
正向压降(Vf):1.1V@7.5A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:15A,反向电流(Ir):10uA@800V
YANGJIE(扬杰)
KBU
¥2.3498
6
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):4 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 2 A
LRC(乐山无线电)
DIP-4P
¥6.12
1
正向压降(Vf):1.1V,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:35A,反向电流(Ir):5uA
MCC(美微科)
TBL
¥2.12
2
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):4 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):950 mV @ 2 A
MCC(美微科)
4-SMD,扁平引线
¥0.6665
2
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):2 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 2 A
CJ(江苏长电/长晶)
MBF
¥0.1065
0
直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:800mA,反向电流(Ir):5uA@100V,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):30A
MDD(辰达行)
DBS
¥0.2006
0
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A,反向电流(Ir):10uA@600V
YANGJIE(扬杰)
KBPC-W
¥4.87
0
正向压降(Vf):1.1V@25A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:50A,反向电流(Ir):10uA@800V
LRC(乐山无线电)
STSB
¥0.324
0
正向压降(Vf):1.05V,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA
YANGJIE(扬杰)
M2
¥95.63
8
正向压降(Vf):1.7V@150A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:100A,反向电流(Ir):300uA@800V
YANGJIE(扬杰)
M2
¥92.16
8
正向压降(Vf):1.45V@150A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:60A,反向电流(Ir):300uA@800V
PANJIT(强茂)
MBF
¥0.2373
340
正向压降(Vf):1V@800mA,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:800mA,反向电流(Ir):5uA@1kV
DIODES(美台)
GBU
¥2.24
1
正向压降(Vf):1.2V@8A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:8A,反向电流(Ir):5uA@1kV
DIODES(美台)
GBJ
¥2.87
0
正向压降(Vf):1.05V@5A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:10A,反向电流(Ir):10uA@600V
DIODES(美台)
GBP
¥1.1369
0
正向压降(Vf):1.05V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA@1kV
DIODES(美台)
KBP
¥2.01
0
正向压降(Vf):1.1V@3A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:3A,反向电流(Ir):5uA@800V
MDD(辰达行)
KBJ
¥1.1
0
正向压降(Vf):1.1V@10A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:10A,反向电流(Ir):10uA@1kV
LRC(乐山无线电)
GBU
¥0.8814
0
正向压降(Vf):1.1V,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:15A,反向电流(Ir):5uA
PANJIT(强茂)
D3K
¥0.8386
0
正向压降(Vf):1.1V@4A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:4A,反向电流(Ir):5uA@1kV
VISHAY(威世)
GBPC
¥24.1856
0
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):50 V,电流 - 平均整流 (Io):15 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 7.5 A
YANGJIE(扬杰)
ABS
¥0.1324
0
正向压降(Vf):950mV@1A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA@800V
CJ(江苏长电/长晶)
KBU
¥2.05
19
正向压降(Vf):1V@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:10A,反向电流(Ir):10uA@100V
CJ(江苏长电/长晶)
ABS
¥0.1998
0
正向压降(Vf):1.3V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA@1000V
CJ(江苏长电/长晶)
MBS
¥0.0829
0
正向压降(Vf):1V@1.0A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:1A,反向电流(Ir):10uA@800V
YANGJIE(扬杰)
YBS
¥0.7922
0
正向压降(Vf):1.3V@1.5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A,反向电流(Ir):5uA
Comchip(典琦)
4-方形,KBPC-W
¥43.31
42
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):10 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 5 A
SHIKUES(时科)
GBU
¥0.5088
0
正向压降(Vf):1V@5A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:10A,反向电流(Ir):5uA@800V
LGE(鲁光)
ABS
¥0.2115
3770
正向压降(Vf):1.3V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A,反向电流(Ir):10uA@1kV
YFW(佑风微)
ABF
¥0.224
0
正向压降(Vf):1.1V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA@2A
YFW(佑风微)
UMSB
¥0.3248
0
正向压降(Vf):1.3V@3.0A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A,反向电流(Ir):500uA
KUU(永裕泰)
¥0.318
60100
晶导微电子
KBP
¥0.42
0
正向压降(Vf):1.1V@4A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:4A,反向电流(Ir):5uA@1000V
YANGJIE(扬杰)
ABS
¥0.1968
0
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):800 V,电流 - 平均整流 (Io):1 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):950 mV @ 500 mA
SMC(桑德斯)
¥0.3234
0
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):2 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 2 A
TI(德州仪器)
16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
¥46.761
0
二极管类型:单相,技术:肖特基,电压 - 峰值反向(最大值):50 V,电流 - 平均整流 (Io):3 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 1 A
YANGJIE(扬杰)
GBU
¥1.96
1600
正向压降(Vf):1V@10A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:3.5A,反向电流(Ir):5uA@600V
YANGJIE(扬杰)
KBPC-W
¥4.92
2
正向压降(Vf):1.1V@17.5A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:35A,反向电流(Ir):10uA@800V