晶导微电子
GBJ
¥1.25
1
正向压降(Vf):1V@7.5A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:15A,反向电流(Ir):5uA@600V
YANGJIE(扬杰)
GBU
¥1.26
214
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):800 V,电流 - 平均整流 (Io):8 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 4 A
晶导微电子
GBU
¥1.5452
300
正向压降(Vf):1V@5A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:10A,反向电流(Ir):5uA@600V
YANGJIE(扬杰)
GBU
¥1.42
798
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):800 V,电流 - 平均整流 (Io):30 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 15 A
CJ(江苏长电/长晶)
KBU
¥1.38
2298
正向压降(Vf):1V@4.0A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:8A,反向电流(Ir):10uA@200V
晶导微电子
GBJ
¥1.38
427
正向压降(Vf):1V@7.5A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:15A,反向电流(Ir):5uA@400V
CJ(江苏长电/长晶)
GBU
¥1.4151
155
正向压降(Vf):1V@5A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:3A,反向电流(Ir):10uA@600V
YANGJIE(扬杰)
JB
¥1.47
805
正向压降(Vf):1V@4A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:8A,反向电流(Ir):5uA@600V
CJ(江苏长电/长晶)
GBU
¥1.5127
310
正向压降(Vf):1V@7.5A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:15A,反向电流(Ir):10uA@800V
不适用于新设计
onsemi(安森美)
SOIC-4
¥1.6141
74
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):500 mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 500 mA
LGE(鲁光)
GBJ
¥1.75
0
正向压降(Vf):1.05V@17.5A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:35A,反向电流(Ir):5uA
YANGJIE(扬杰)
6KBJ
¥1.84
498
正向压降(Vf):1V@10A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3.5A,反向电流(Ir):5uA@1kV
PANJIT(强茂)
GBU
¥1.08
500
正向压降(Vf):1.1V@8A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:8A,反向电流(Ir):5uA@800V
YANGJIE(扬杰)
6KBJ
¥1.211
79
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):800 V,电流 - 平均整流 (Io):15 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 7.5 A
CJ(江苏长电/长晶)
6GBJ
¥1.78
0
正向压降(Vf):1V@12.5A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:25A,反向电流(Ir):10uA@800V
DIODES(美台)
4-SIP,GBU
¥2.5655
538
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):800 V,电流 - 平均整流 (Io):8 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 4 A
LGE(鲁光)
KBPC
¥2.925
13
正向压降(Vf):1.1V@35A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:35A,反向电流(Ir):10uA@1kV
YANGJIE(扬杰)
6KBJ
¥3.43
147
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):25 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):920 mV @ 12.5 A
YFW(佑风微)
GBJ
¥4.6265
225
正向压降(Vf):1.2V@25A,直流反向耐压(Vr):300V,整流电流:25A,反向电流(Ir):10uA@300V
DIODES(美台)
4-SIP,GBJ
¥4.6
8
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):10 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.05 V @ 5 A
DIODES(美台)
GBJ
¥4.55
15
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):25 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.05 V @ 12.5 A
GOODWORK(固得沃克)
KBPC-W
¥4.39
0
正向压降(Vf):1.2V@25A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:50A,反向电流(Ir):10A@1kV
VISHAY(威世)
4-SIP,GBU
¥3.9102
167
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):3.9 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 8 A
VISHAY(威世)
4-SIP,GSIB-5S
¥7.23
13397
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):800 V,电流 - 平均整流 (Io):15 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):950 mV @ 7.5 A
YANGJIE(扬杰)
SKBPC
¥7.96
1
正向压降(Vf):1.2V@17.5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:35A,反向电流(Ir):10uA@1kV
VISHAY(威世)
4-方形,GBPC-W
¥14.9161
869
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):35 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 17.5 A
VISHAY(威世)
GBPC-W
¥13.56
620
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):35 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 17.5 A
VISHAY(威世)
4-SIP,KBU
¥12.6918
108
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):8 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 8 A
YANGJIE(扬杰)
MT-A
¥14.39
0
正向压降(Vf):1.2V@25A,整流电流:50A,反向电流(Ir):10uA@1.2kV,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):500A
YANGJIE(扬杰)
MT-A
¥18.5
50
二极管类型:Three Phase,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1.6 kV,电流 - 平均整流 (Io):35 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 17.5 A
YFW(佑风微)
SGBJ
¥22.92
32
正向压降(Vf):1.1V@17.5A,直流反向耐压(Vr):1.6kV,整流电流:35A,反向电流(Ir):5uA
YFW(佑风微)
M08
¥54.4255
9
正向压降(Vf):1.1V@100A,直流反向耐压(Vr):1.6kV,整流电流:100A,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):1.5kA
Littelfuse(美国力特)
5-SIP
¥53.05
24
二极管类型:Three Phase,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1.6 kV,电流 - 平均整流 (Io):40 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.28 V @ 30 A
TWGMC(台湾迪嘉)
MBF
¥0.038
16350
正向压降(Vf):1.1V@500mA,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:800mA,反向电流(Ir):5uA
晶导微电子
MBF
¥0.06586
47277
正向压降(Vf):1V@500mA,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:500mA,反向电流(Ir):5uA@600V
GOODWORK(固得沃克)
GBL
¥0.544765
415
正向压降(Vf):1V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:6A,反向电流(Ir):10uA@1000V
TWGMC(台湾迪嘉)
ABS
¥0.066
8800
直流反向耐压(Vr):1kV,反向电流(Ir):5uA,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):30A,工作结温范围:-55℃~+150℃@(Tj)
SHIKUES(时科)
ABS
¥0.00767
4949
正向压降(Vf):1.1V@800mA,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:800mA,反向电流(Ir):5uA@800V
GOODWORK(固得沃克)
MB-1
¥0.078755
80
正向压降(Vf):1V@400mA,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:800mA,反向电流(Ir):5uA@1000V
LGE(鲁光)
MBS
¥0.07461
540
正向压降(Vf):1V@0.4A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:800mA,反向电流(Ir):5uA@1kV
YANGJIE(扬杰)
MBLS
¥0.06377
5010
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):500 mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 400 mA
Slkor(萨科微)
MBS
¥0.03976
50
正向压降(Vf):1V@400mA,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:800mA,反向电流(Ir):5uA@1kV
LRC(乐山无线电)
MBS
¥0.072933
720
YFW(佑风微)
MBS
¥0.07771
1380
正向压降(Vf):1.1V,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA
晶导微电子
ABS
¥0.0825
5180
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@1000V
MDD(辰达行)
MBS
¥0.0845
5
直流反向耐压(Vr):100V,工作结温范围:-55℃~+150℃
YFW(佑风微)
MBS
¥0.08064
10720
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA
LGE(鲁光)
MBF
¥0.08829
100
正向压降(Vf):1V@0.4A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@1kV
UMW(友台半导体)
DIP-4
¥0.0893
100
正向压降(Vf):1.1V@0.5A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:800mA,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):30A
Slkor(萨科微)
ABS
¥0.04555
3160
正向压降(Vf):1V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA@1kV