LGE(鲁光)
GBU
¥0.8738
145
直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:8A,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):200A,工作结温范围:-55℃~+150℃@(Tj)
DIOTEC(德欧泰克)
4-ESIP
¥4.853
3
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):2.3 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.05 V @ 2 A
YANGJIE(扬杰)
D3K
¥0.49273
470
正向压降(Vf):1V@2A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:4A,反向电流(Ir):5uA@600V
YANGJIE(扬杰)
JA
¥1.05
750
正向压降(Vf):1V@4A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:8A,反向电流(Ir):5uA@1000V
YANGJIE(扬杰)
M3
¥95.48
1
正向压降(Vf):1.7V@300A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:100A,反向电流(Ir):300uA@800V
YANGJIE(扬杰)
M5
¥66.703
58
正向压降(Vf):1.7V@300A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:100A,反向电流(Ir):300uA@800V
MCC(美微科)
4-EDIP(0.321",8.15mm)
¥0.358
0
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):1 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A
LRC(乐山无线电)
SIP-4P
¥1.202
2927
正向压降(Vf):1.1V,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:15A,反向电流(Ir):5uA
CJ(江苏长电/长晶)
KBU
¥1.5
13
正向压降(Vf):1V@5A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:10A,反向电流(Ir):10uA@200V
晶导微电子
GBU
¥1.0133
2100
正向压降(Vf):1V@5A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:10A,反向电流(Ir):5uA@800V
DIODES(美台)
4-SIP,GBU
¥1.243
0
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):6 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 3 A
DIODES(美台)
4-SIP,KBP
¥1.144
1042
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):2 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 2 A
VISHAY(威世)
SIP-4
¥9.15
476
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):800 V,电流 - 平均整流 (Io):40 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 20 A
YANGJIE(扬杰)
S25VB
¥4.18
0
正向压降(Vf):1.05V@12.5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:25A,反向电流(Ir):10uA@1kV
DIOTEC(德欧泰克)
SIP-4P
¥5.2362
0
正向压降(Vf):1.05V@2A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:4A,反向电流(Ir):5uA@800V
DIODES(美台)
GBP
0
正向压降(Vf):1V@2A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:4A,反向电流(Ir):5uA@600V
晶导微电子
UMSB
0
正向压降(Vf):450mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:5A,反向电流(Ir):500uA@60V
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
TS4K-4
¥1.0404
0
DIODES(美台)
-
¥9.61
20
AnBon(安邦)
KBL
¥1.3586
0
正向压降(Vf):1.1V@4A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:4A,反向电流(Ir):5uA@1kV
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
GBL
0
正向压降(Vf):1.1V@2A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:2A,反向电流(Ir):10uA@600V