CJ(江苏长电/长晶)
GBP
¥0.4682
330
正向压降(Vf):1.1V@2A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:2A,反向电流(Ir):10uA@800V
GOODWORK(固得沃克)
MBS
¥0.35504
30
正向压降(Vf):550mV@2A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A,反向电流(Ir):300uA@40V
YANGJIE(扬杰)
DB
¥0.5208
2500
正向压降(Vf):1V@700mA,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1.5A,反向电流(Ir):5uA@600V
LGE(鲁光)
KBP
¥0.37017
610
正向压降(Vf):1.1V@4A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:4A,反向电流(Ir):5uA@1kV
FUXINSEMI(富芯森美)
D3K
¥0.3807
170
正向压降(Vf):1.1V@6A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:6A,反向电流(Ir):10uA
SHIKUES(时科)
KBP
¥0.3989
105
正向压降(Vf):1.1V@4A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:4A,反向电流(Ir):5uA@1kV
华轩阳
GBU
¥0.6728
0
正向压降(Vf):1.05V@10A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:10A,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):220A
MDD(辰达行)
GBL
¥0.4256
388
正向压降(Vf):1.1V@4A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:4A,反向电流(Ir):10uA@600V
YANGJIE(扬杰)
DB
¥0.4442
5
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):800 V,电流 - 平均整流 (Io):1 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 500 mA
CJ(江苏长电/长晶)
DBS
¥0.4714
360
正向压降(Vf):1.05V@0.5A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:1A,反向电流(Ir):10uA@400V
Comchip(典琦)
TO-269AA,4-BESOP
¥0.4503
610
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):800 mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 800 mA
YANGJIE(扬杰)
DB
¥0.4567
70
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):1.5 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 700 mA
YFW(佑风微)
KBP
¥0.5092
70
正向压降(Vf):1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA@1kV
晶导微电子
KBP
¥0.4693
10
正向压降(Vf):1.1V@2A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA@800V
YFW(佑风微)
MBS
¥0.46053
285
正向压降(Vf):900mV@1A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:1A,反向电流(Ir):100nA
LRC(乐山无线电)
DIP-4P
¥0.418
0
正向压降(Vf):1.1V,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA
不适用于新设计
MCC(美微科)
SDB-1
¥0.6062
1480
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):50 V,电流 - 平均整流 (Io):1 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A
晶导微电子
KBP
¥0.5351
25
正向压降(Vf):1.1V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A,反向电流(Ir):5uA@1kV
YFW(佑风微)
MBF
¥0.542925
515
正向压降(Vf):550mV@2A,直流反向耐压(Vr):40V,反向电流(Ir):500nA,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):50A
LGE(鲁光)
MSB
¥0.49842
2480
正向压降(Vf):1.25V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:6A,反向电流(Ir):10uA@1kV
GOODWORK(固得沃克)
KBL
¥0.55928
1031
正向压降(Vf):1V@4A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:4A,反向电流(Ir):5uA@600V
LRC(乐山无线电)
STSB
¥0.4873
615
正向压降(Vf):1.3V@1.5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A,反向电流(Ir):5uA@1000V
华轩阳
KBL
¥0.568881
790
正向压降(Vf):1.1V@4A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:4A,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):200A
YANGJIE(扬杰)
GBP
¥0.5818
65
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):800 V,电流 - 平均整流 (Io):2 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 1 A
LGE(鲁光)
GBU
¥0.58716
210
正向压降(Vf):1.1V@4A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:4A,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):135A
YANGJIE(扬杰)
D3K
¥0.5916
0
正向压降(Vf):1V@1A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA@800V
YANGJIE(扬杰)
GBP
¥0.6118
1925
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):2 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 1 A
DIODES(美台)
4-EDIP(0.300",7.62mm)
¥0.9397
1000
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):50 V,电流 - 平均整流 (Io):1 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A
YANGJIE(扬杰)
D3K
¥0.6894
1500
正向压降(Vf):1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,反向电流(Ir):5uA@1kV,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):90A
CJ(江苏长电/长晶)
UMSB
¥0.7193
2930
正向压降(Vf):1.3V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A,反向电流(Ir):5uA@1000V
华轩阳
GBU
¥0.6985
165
正向压降(Vf):1.05V@10A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:15A,反向电流(Ir):5uA
LRC(乐山无线电)
TSB
¥0.6387
1935
正向压降(Vf):1.05V,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:8A,反向电流(Ir):5uA
不适用于新设计
onsemi(安森美)
SOIC-4
¥1.6604
35
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):800 V,电流 - 平均整流 (Io):500 mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 500 mA
YFW(佑风微)
GBU
¥0.632035
45
正向压降(Vf):1V@2A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:4A,反向电流(Ir):5uA@600V
YANGJIE(扬杰)
YBS3
¥0.6478
0
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):800 V,电流 - 平均整流 (Io):6 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 3 A
YANGJIE(扬杰)
D3K
¥0.7328
1500
正向压降(Vf):1V@1.5A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:3A,反向电流(Ir):5uA@800V
YANGJIE(扬杰)
GBP
¥0.6947
0
正向压降(Vf):1V@2A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:4A,反向电流(Ir):5uA@800V
MDD(辰达行)
TTF
¥0.715
0
正向压降(Vf):950mV@4A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:4A,反向电流(Ir):150nA@1kV
LGE(鲁光)
GBU
¥0.72648
80
正向压降(Vf):1V@6A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:6A,反向电流(Ir):10uA@600V
YANGJIE(扬杰)
GBP
¥0.5415
5
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):3 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 1.5 A
MDD(辰达行)
GBU
¥0.7634
0
正向压降(Vf):1.1V@5A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:10A,反向电流(Ir):10uA@800V
PANJIT(强茂)
GBP
¥0.7877
150
正向压降(Vf):1.1V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA@1kV
DIODES(美台)
SMD-4P
¥0.88
1326
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):1.5 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1.5 A
LRC(乐山无线电)
GBU
¥0.8136
1422
正向压降(Vf):1.1V,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:8A,反向电流(Ir):5uA
YANGJIE(扬杰)
D3K
¥0.8212
0
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):8 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 4 A
华轩阳
KBJ
¥0.8272
0
正向压降(Vf):1.05V@4A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:10A,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):170A
GOODWORK(固得沃克)
KBJ
¥0.8774
69
正向压降(Vf):1V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:4A,反向电流(Ir):5uA@1000V
SHIKUES(时科)
GBU
¥0.8952
0
正向压降(Vf):1V,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:8A,反向电流(Ir):5uA
YFW(佑风微)
KBL
¥0.87282
480
正向压降(Vf):1V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:6A,反向电流(Ir):10uA@1kV
DIODES(美台)
4-SIP,KBP
¥0.935
5328
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):2 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 2 A