Prisemi(芯导)
MBS
¥0.1092
0
正向压降(Vf):1.05V@400mA,直流反向耐压(Vr):600V,反向电流(Ir):10uA@600V,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):30A
DOWO(东沃)
DB-S
¥0.1281
3000
正向压降(Vf):1.1V@1.0A,直流反向耐压(Vr):1kV,反向电流(Ir):10uA,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):30A
CJ(江苏长电/长晶)
ABS
¥0.1463
240
正向压降(Vf):980mV@1.0A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:1A,反向电流(Ir):10uA@800V
SMC(桑德斯)
4-SMD,鸥翼
¥0.1183
420
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):500 mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 500 mA
CJ(江苏长电/长晶)
ABS
¥0.1463
240
正向压降(Vf):980mV@1.0A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A,反向电流(Ir):10uA@600V
CJ(江苏长电/长晶)
ABS
¥0.1494
0
正向压降(Vf):1.1V@2A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA@400V
KUU(永裕泰)
DBS
¥0.1809
1500
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A,反向电流(Ir):5uA@1kV
YFW(佑风微)
DBS
¥0.16283
220
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@1kV
晶导微电子
MBF
¥0.1226
100
正向压降(Vf):1.3V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@1kV
晶导微电子
KBP
¥0.242
207655
正向压降(Vf):1.1V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA@1000V
Slkor(萨科微)
DBS
¥0.10695
1280
正向压降(Vf):1.1V@3A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:3A,反向电流(Ir):10uA@600V
Slkor(萨科微)
DBS
¥0.10695
140
正向压降(Vf):1.1V@3A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:3A,反向电流(Ir):10uA@400V
LGE(鲁光)
DBS
¥0.1908
1040
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@1kV
Slkor(萨科微)
DF-S
¥0.168
950
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:1A,反向电流(Ir):10uA@800V
MDD(辰达行)
DBS
¥0.22
0
正向压降(Vf):1.1V@1.5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1.5A,反向电流(Ir):10uA@1kV
Comchip(典琦)
ABS
¥0.27097
19355
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):1 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A
AnBon(安邦)
DBS
¥0.287
45
正向压降(Vf):1.1V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A,反向电流(Ir):10uA@1kV
LGE(鲁光)
DBS
¥0.2884
745
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@1kV
晶导微电子
ABS
¥0.29824
835
正向压降(Vf):550mV@2A,直流反向耐压(Vr):40V,工作结温范围:-55℃~+150℃
SHIKUES(时科)
KBP
¥0.30058
2798
正向压降(Vf):1.1V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA@1kV
GOODWORK(固得沃克)
D3K
¥0.3529
275
正向压降(Vf):1.1V@4A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:4A,反向电流(Ir):10uA@1000V
晶导微电子
MBF
¥0.308
21110
正向压降(Vf):550mV@2A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A,反向电流(Ir):500uA@40V
CJ(江苏长电/长晶)
DBS
¥0.4491
1655
正向压降(Vf):1.1V@2A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:2A,反向电流(Ir):10uA@100V
晶导微电子
ABS
¥0.6998
2274
正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A,反向电流(Ir):500uA@40V
GOODWORK(固得沃克)
KBP
¥0.336
412
正向压降(Vf):1.1V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A,反向电流(Ir):10uA@1kV
YANGJIE(扬杰)
DB
¥0.574
2500
正向压降(Vf):1V@1A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA@800V
YANGJIE(扬杰)
DB
¥0.344
0
正向压降(Vf):1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA@1kV
LGE(鲁光)
GBP
¥0.37017
275
正向压降(Vf):1V@3A,直流反向耐压(Vr):600V,反向电流(Ir):5uA@600V,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):70A
CJ(江苏长电/长晶)
DBS
¥0.3806
130
正向压降(Vf):1.1V@2A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:2A,反向电流(Ir):10uA@600V
Slkor(萨科微)
KBP
¥0.427245
0
正向压降(Vf):1.1V@3A,直流反向耐压(Vr):50V,整流电流:3A,反向电流(Ir):10uA@50V
YANGJIE(扬杰)
DBS
¥0.4348
980
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):800 V,电流 - 平均整流 (Io):1.5 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 700 mA
LRC(乐山无线电)
KBP
¥0.6737
0
正向压降(Vf):1.1V,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA
Slkor(萨科微)
KBL
¥0.45438
115
正向压降(Vf):1.1V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:6A,反向电流(Ir):10uA@1kV
YFW(佑风微)
MBS
¥0.45672
1980
正向压降(Vf):850mV@2A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:2A,反向电流(Ir):300nA@100V
YFW(佑风微)
KBP
¥0.5429
253
正向压降(Vf):1V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:4A,反向电流(Ir):5uA@1kV
LGE(鲁光)
GBU
¥0.52083
515
正向压降(Vf):1V@4A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:4A,反向电流(Ir):10uA@100v
CJ(江苏长电/长晶)
DBS
¥0.5499
70
正向压降(Vf):1.1V@2A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:2A,反向电流(Ir):10uA@200V
JUXING(钜兴)
KBL
¥0.540835
325
正向压降(Vf):1V@4A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:4A,反向电流(Ir):10uA@1kV
YANGJIE(扬杰)
D3K
¥0.63529
3049
正向压降(Vf):1V@4A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1.5A,反向电流(Ir):5uA@600V
PANJIT(强茂)
KBPF
¥0.7393
1995
正向压降(Vf):1.1V@2A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA@800V
YANGJIE(扬杰)
DB
¥0.6043
85
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):1.5 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 700 mA
YFW(佑风微)
KBL
¥0.7759
530
正向压降(Vf):1V,直流反向耐压(Vr):800V,反向电流(Ir):10uA,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):150A
DIODES(美台)
4-EDIP(0.300",7.62mm)
¥0.612
26573
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):1 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A
YFW(佑风微)
D3K
¥0.6956
799
正向压降(Vf):1V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:6A,反向电流(Ir):10uA@1kV
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
KBPF
¥0.6644
0
正向压降(Vf):1.1V@1.5A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:3A,反向电流(Ir):5uA@800V
MDD(辰达行)
KBL
¥0.6827
617
正向压降(Vf):1.1V@6A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:6A,反向电流(Ir):10uA@1kV
Slkor(萨科微)
KBL
¥0.66405
1364
正向压降(Vf):1.1V@4A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:4A,反向电流(Ir):10uA@1kV
DIODES(美台)
4-SMD,鸥翼
¥0.6732
27506
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):1.5 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1.5 A
BORN(伯恩半导体)
GBU
¥0.63376
5
正向压降(Vf):1V@10A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:10A,反向电流(Ir):5uA@1000V
SMC(桑德斯)
KBP
¥0.7202
20
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):2 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 2 A