YANGJIE(扬杰)
GBPC
¥4.4
0
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):50 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 25 A
YANGJIE(扬杰)
GBPC-W
¥5.733
403
正向压降(Vf):1.1V@12.5A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:25A,反向电流(Ir):10uA@600V
YANGJIE(扬杰)
BR-W
¥6.39
50
正向压降(Vf):1.1V@25A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:50A,反向电流(Ir):10uA@1kV
YANGJIE(扬杰)
TSB-5
¥6.03
0
二极管类型:Three Phase,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):25 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 12.5 A
onsemi(安森美)
4-SIP,GBU
¥8.84
5
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):4 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 4 A
LRC(乐山无线电)
3PB
¥10.8
32
正向压降(Vf):1.1V@12.5A,直流反向耐压(Vr):1.6kV,整流电流:25A,反向电流(Ir):10uA
onsemi(安森美)
4-SIP,TS-6P
¥14.5225
10
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):20 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 20 A
YFW(佑风微)
SKBPC
¥10.7065
322
正向压降(Vf):1.05V@25A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:50A,反向电流(Ir):10uA
YFW(佑风微)
插件
¥20.05
18
直流反向耐压(Vr):1kV,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):350A,工作结温范围:-40℃~+150℃@(Tj)
YANGJIE(扬杰)
M1
¥48.3
13
正向压降(Vf):1.3V@150A,直流反向耐压(Vr):1.6kV,整流电流:50A,反向电流(Ir):200uA@1600V
Littelfuse(美国力特)
5-方形,FO-B
¥60.27
44
二极管类型:Three Phase,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1.6 kV,电流 - 平均整流 (Io):27 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.04 V @ 15 A
MDD(辰达行)
DBS
¥0.1815
0
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:1A,反向电流(Ir):10uA@800V
GOODWORK(固得沃克)
MBF
¥0.066
400
正向压降(Vf):1.3V@0.4A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:800mA,反向电流(Ir):5uA@1000V
晶导微电子
MBS
¥0.063
6595
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@600V
FOSAN(富信)
ABS
¥0.0583
55060
正向压降(Vf):1V@400mA,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@1kV
SHIKUES(时科)
ABS
¥0.0074
3440
正向压降(Vf):1.1V@800mA,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:800mA,反向电流(Ir):5uA@400V
MDD(辰达行)
UMSB
¥0.352
2476
正向压降(Vf):1.3V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A,反向电流(Ir):5uA@1kV
MDD(辰达行)
MBM
¥0.0737
0
正向压降(Vf):1V@400mA,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:500mA,反向电流(Ir):5uA@600V
JUXING(钜兴)
ABS
¥0.076855
920
正向压降(Vf):1.3V,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1.2A,反向电流(Ir):5uA@1000V
YFW(佑风微)
ABF
¥0.06272
3700
正向压降(Vf):950mV@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@1kV
SHIKUES(时科)
UMB
¥0.0715
104760
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@600V
SHIKUES(时科)
ABS
¥0.08094
2040
正向压降(Vf):1.1V@800mA,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:800mA,反向电流(Ir):5uA@800V
YANGJIE(扬杰)
MBLS
¥0.0888
2780
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):500 mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 400 mA
CJ(江苏长电/长晶)
MBS
¥0.1104
140
正向压降(Vf):1V@1A,直流反向耐压(Vr):50V,整流电流:1A,反向电流(Ir):10uA@50V
CJ(江苏长电/长晶)
ABS
¥0.1067
0
正向压降(Vf):980mV@1A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:1A,反向电流(Ir):10uA@200V
MDD(辰达行)
MBM
¥0.109
1200
正向压降(Vf):1V@400mA,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:500mA,反向电流(Ir):5uA@1kV
晶导微电子
ABS
¥0.1208
4840
正向压降(Vf):1.1V@1.2A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1.2A,反向电流(Ir):5uA@600V
BLUE ROCKET(蓝箭)
ABS
¥0.12977
16475
正向压降(Vf):1V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA@1kV
KUU(永裕泰)
DF-S
¥0.2016
32378
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@600V
晶导微电子
MBF
¥0.1387
980
正向压降(Vf):1.3V@1A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@600V
晶导微电子
MBF
¥0.1462
6740
正向压降(Vf):1.3V@800mA,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:800mA,反向电流(Ir):5uA@1000V
LRC(乐山无线电)
MBS
¥0.1479
17890
正向压降(Vf):1.05V,直流反向耐压(Vr):600V,反向电流(Ir):500uA,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):30A
晶导微电子
MBF-T
¥0.1494
1670
正向压降(Vf):1V@1A,直流反向耐压(Vr):220V,整流电流:1A,反向电流(Ir):100uA@200V
YANGJIE(扬杰)
GBP
¥0.5074
0
正向压降(Vf):1V@1.5A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:3A,反向电流(Ir):5uA@800V
Slkor(萨科微)
DF-S
¥0.1681
0
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):10uA@1kV
YANGJIE(扬杰)
MBLS
¥0.1771
30
MSKSEMI(美森科)
DBS
¥0.167485
380
正向压降(Vf):1.1V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A,反向电流(Ir):10uA@1kV
晶导微电子
ABS
¥0.2515
150
正向压降(Vf):1.65V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A,反向电流(Ir):1uA@1kV
MCC(美微科)
4-EDIP(0.321",8.15mm)
¥0.4799
2400
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):1.5 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1.5 A
晶导微电子
MBS
¥0.1452
2820
正向压降(Vf):1.5V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@1000V
晶导微电子
UMSB
¥0.2266
11086
正向压降(Vf):1.1V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA@1000V
CJ(江苏长电/长晶)
ABS
¥0.2151
330
正向压降(Vf):1.1V@2A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA@600V
Slkor(萨科微)
KBP
¥0.1469
115
正向压降(Vf):1.1V@2A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:2A,反向电流(Ir):10uA@200V
SHIKUES(时科)
KBP
¥0.198
0
正向压降(Vf):1.1V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A,反向电流(Ir):5uA@1kV
GOODWORK(固得沃克)
KBP
¥0.2762
90
正向压降(Vf):1.1V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A,反向电流(Ir):10uA@1kV
华轩阳
KBP
¥0.2703
495
正向压降(Vf):1.1V@2A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:2A,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):60A
MCC(美微科)
4-SMD,扁平引线
¥0.278919
1830
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):3 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):950 mV @ 1.5 A
DIODES(美台)
4-SMD,鸥翼
¥0.362
20045
二极管类型:单相,技术:标准,电压 - 峰值反向(最大值):1 kV,电流 - 平均整流 (Io):1.5 A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1.5 A
LGE(鲁光)
KBP
¥0.2961
320
正向压降(Vf):1.1V@2A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:2A,反向电流(Ir):10uA@600V
MDD(辰达行)
DIP-4
¥0.3476
0
正向压降(Vf):1V@1.5A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1.5A,反向电流(Ir):10uA@600V