咨询/建议
IMZ120R045M1XKSA1
Infineon(英飞凌)
TO-247-4-1
碳化硅场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：52A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
IMZ120R045M1XKSA1
|
Infineon(英飞凌)
|
TO-247-4-1
|
90+:￥22.94 30+:￥25.49 10+:￥28.53 1+:￥33.52 |
279 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
|
IMZ120R045M1XKSA1
|
英飞凌(INFINEON)
|
TO-247-4-1
|
10+:￥166.9733 1+:￥300.5519 |
0 |
-
|
油柑网
|
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | SiCFET（碳化硅） |
| 漏源电压（Vdss） | 1200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 52A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 15V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 59 毫欧 @ 20A，15V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5.7V @ 10mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 52 nC @ 15 V |
| Vgs（最大值） | +20V，-10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1900 pF @ 800 V |
| FET 功能 | 电流检测 |
| 功率耗散（最大值） | 228W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-4 |