SCT3060ARC14
ROHM(罗姆)
TO-247-4L
¥29.532
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碳化硅场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:SiCFET(碳化硅),漏源电压(Vdss):650 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):39A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):18V
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SCT3060ARC14
ROHM(罗姆)
TO-247-4L

960+:¥29.532

240+:¥30.36

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SCT3060ARC14
罗姆(ROHM)
TO-247-4L

90+:¥90.7467

30+:¥108.896

10+:¥136.1201

1+:¥163.3441

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss) 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 39A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 78 毫欧 @ 13A,18V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 5.6V @ 6.67mA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 58 nC @ 18 V
Vgs(最大值) +22V,-4V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 852 pF @ 500 V
功率耗散(最大值) 165W
工作温度 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-4