IMZ120R090M1H
Infineon(英飞凌)
TO-247-4
¥27.61
921
碳化硅场效应管(MOSFET)
类型:1个N沟道,漏源电压(Vdss):1.2kV,连续漏极电流(Id):26A,耗散功率(Pd):115W
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IMZ120R090M1H
英飞凌(INFINEON)
TO-247-4

2400+:¥27.61

480+:¥29.8063

240+:¥31.375

100+:¥43.925

10+:¥62.75

1+:¥97.2625

813

-
IMZ120R090M1H
Infineon(英飞凌)
TO-247-4

90+:¥39.9

30+:¥44.15

10+:¥49.21

1+:¥57.51

108

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
类型 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 1.2kV
连续漏极电流(Id) 26A
耗散功率(Pd) 115W