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SCT3160KLGC11
ROHM(罗姆)
TO-247AC-3
碳化硅场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：17A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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ROHM(罗姆)
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90+:￥21.2 30+:￥24.1 10+:￥29.91 1+:￥34.73 |
446 |
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100+:￥43.1304 60+:￥43.5616 50+:￥43.7725 30+:￥44.6349 10+:￥48.9182 5+:￥55.3576 2+:￥105.3681 |
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3周-4周
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450+:￥17.97 1+:￥18.51 |
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罗姆(ROHM)
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300+:￥20.361 60+:￥21.9806 30+:￥23.1375 15+:￥32.3925 5+:￥46.275 1+:￥71.7262 |
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油柑网
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1000+:￥26.45 500+:￥27.6 100+:￥29.9 30+:￥32.2 1+:￥33.35 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | SiCFET（碳化硅） |
| 漏源电压（Vdss） | 1200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 17A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 18V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 208 毫欧 @ 5A，18V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5.6V @ 2.5mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 42 nC @ 18 V |
| Vgs（最大值） | +22V，-4V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 398 pF @ 800 V |
| 功率耗散（最大值） | 103W（Tc） |
| 工作温度 | 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |