厂家型号
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封装
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交期
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渠道
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属性 | 属性值 |
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FET 类型 | N 通道 |
技术 | SiCFET(碳化硅) |
漏源电压(Vdss) | 1000 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 35A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 15V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 78 毫欧 @ 20A,15V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3.5V @ 5mA |
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) | 35 nC @ 15 V |
Vgs(最大值) | +19V,-8V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 660 pF @ 600 V |
功率耗散(最大值) | 113.5W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-247-4 |