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SCT3120ALGC11
ROHM(罗姆)
TO-247-3
碳化硅场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：650 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：21A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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SCT3120ALGC11
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ROHM(罗姆)
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TO-247-3
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200+:￥40.9456 100+:￥41.2619 60+:￥41.6931 50+:￥41.9039 30+:￥42.7663 10+:￥47.0592 5+:￥53.489 2+:￥100.7398 |
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TO-247-3
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200+:￥40.9456 100+:￥41.2619 60+:￥41.6931 50+:￥41.9039 30+:￥42.7663 10+:￥47.0592 5+:￥53.489 2+:￥100.7398 |
1800 |
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ROHM(罗姆)
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30+:￥19.62 10+:￥21.93 1+:￥25.83 |
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60+:￥41.6931 50+:￥41.9039 30+:￥42.7663 10+:￥47.0592 5+:￥53.489 2+:￥100.7398 |
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罗姆(ROHM)
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TO-247AC-3
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30+:￥56.6933 10+:￥68.032 1+:￥102.0479 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | SiCFET（碳化硅） |
| 漏源电压（Vdss） | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 21A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 18V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 156 毫欧 @ 6.7A，18V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5.6V @ 3.33mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 38 nC @ 18 V |
| Vgs（最大值） | +22V，-4V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 460 pF @ 500 V |
| 功率耗散（最大值） | 103W（Tc） |
| 工作温度 | 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |