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IDH08G65C6XKSA1
Infineon(英飞凌)
TO-220-2
碳化硅二极管
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：20A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.35 V @ 8 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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IDH08G65C6XKSA1
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Infineon(英飞凌)
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TO-220-2
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1000+:￥9.737 500+:￥10.01 |
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立即发货
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立创商城
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IDH08G65C6XKSA1
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INFINEON
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PG-TO220-2
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1+:￥16.268 |
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现货最快4H发
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京北通宇
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| 二极管类型 | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 650 V |
| 电流 - 平均整流 (Io) | 20A |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.35 V @ 8 A |
| 速度 | 无恢复时间 > 500mA（Io） |
| 反向恢复时间 (trr) | 0 ns |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 27 µA @ 420 V |
| 不同\xa0Vr、F 时电容 | 401pF @ 1V，1MHz |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-2 |
| 工作温度 - 结 | -55°C ~ 175°C |