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NTH4L028N170M1
onsemi(安森美)
TO-247-4L
碳化硅场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：SiC（碳化硅结晶体管），漏源电压（Vdss）：1700 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：81A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：20V
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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NTH4L028N170M1
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onsemi(安森美)
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TO-247-4L
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30+:￥262.65 1+:￥278.06 |
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立创商城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | SiC（碳化硅结晶体管） |
| 漏源电压（Vdss） | 1700 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 81A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 20V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 40 毫欧 @ 60A，20V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.3V @ 20mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 200 nC @ 20 V |
| Vgs（最大值） | +25V，-15V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4230 pF @ 800 V |
| 功率耗散（最大值） | 535W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-4 |