FGH75T65SQD-F155
onsemi(安森美)
TO-247-3
¥21.6176
663
IGBT管/模块
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):150 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):300 A,功率 - 最大值:375 W
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封装
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FGH75T65SQD-F155
ON(安森美)
TO-247-3

45+:¥21.61764

630

23+
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FGH75T65SQD-F155
onsemi(安森美)
TO-247-3

30+:¥28.26

10+:¥31.43

1+:¥36.77

30

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FGH75T65SQD-F155
ON(安森美)
TO-247

450+:¥18.65

1+:¥19.21

0

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FGH75T65SQD-F155
安森美(onsemi)
TO-247-3

100+:¥24.4292

50+:¥29.315

10+:¥34.2009

1+:¥44.8887

0

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FGH75T65SQD-F155
ON SEMICONDUCTOR
TO-247-3

1+:¥24.5

3

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
IGBT 类型 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值) 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 150 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 300 A
功率 - 最大值 375 W
开关能量 760µJ(开),180µJ(关)
输入类型 标准
栅极电荷 128 nC
反向恢复时间 (trr) 43 ns
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3