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SGH40N60UFDTU
onsemi(安森美)
TO-3P-3
¥14.79
960
IGBT管/模块
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):40 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):160 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.6V @ 15V,20A,功率 - 最大值:160 W
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封装
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SGH40N60UFDTU
onsemi(安森美)
TO-3P-3

1200+:¥14.79

510+:¥15.24

90+:¥16.25

30+:¥18.43

10+:¥20.59

1+:¥24.23

300

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SGH40N60UFDTU
onsemi(安森美)
TO-3P-3

510+:¥16.9

90+:¥17.2

30+:¥18.9

1+:¥24.3

650

19+/21+
SGH40N60UFDTU
ON(安森美)
TO-3P

1000+:¥11.6955

500+:¥12.204

100+:¥13.221

30+:¥14.238

1+:¥14.7465

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SGH40N60UFDTU
安森美(onsemi)
TO-3P-3

1200+:¥18.5467

510+:¥21.3287

90+:¥23.1834

30+:¥25.9654

10+:¥31.5294

1+:¥37.0934

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SGH40N60UFDTU
ON SEMICONDUCTOR
TO-3P

1+:¥19.6

10

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现货最快4H发

价格趋势
规格参数
属性 属性值
电压 - 集射极击穿(最大值) 600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 40 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 160 A
不同\xa0Vge、Ic 时\xa0Vce(on)(最大值) 2.6V @ 15V,20A
功率 - 最大值 160 W
开关能量 160µJ(开),200µJ(关)
输入类型 标准
栅极电荷 97 nC
25°C 时 Td(开/关)值 15ns/65ns
测试条件 300V,20A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr) 60 ns
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3