STGB19NC60HDT4
ST(意法半导体)
TO-263-2
¥7.9971
1,822
IGBT管/模块
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):40 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):60 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,12A,功率 - 最大值:130 W
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STGB19NC60HDT4
ST(意法半导体)
TO-263-2

1000+:¥7.9971

500+:¥8.1006

100+:¥8.3283

30+:¥8.8389

10+:¥10.6887

1+:¥13.0652

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ST(意法半导体)
TO-263-2

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30+:¥12.4

10+:¥14.9

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STGB19NC60HDT4
意法半导体(ST)
TO-263-2

500+:¥15.0533

100+:¥17.3113

30+:¥21.0746

10+:¥25.5906

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ST(意法半导体)
D2PAK

1000+:¥16.95

1+:¥17.42

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
电压 - 集射极击穿(最大值) 600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 40 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 60 A
不同\xa0Vge、Ic 时\xa0Vce(on)(最大值) 2.5V @ 15V,12A
功率 - 最大值 130 W
开关能量 85µJ(开),189µJ(关)
输入类型 标准
栅极电荷 53 nC
25°C 时 Td(开/关)值 25ns/97ns
测试条件 390V,12A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr) 31 ns
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB