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HGTD1N120BNS9A
onsemi(安森美)
TO-252AA
IGBT管/模块
IGBT 类型：NPT，电压 - 集射极击穿（最大值）：1200 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：5.3 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：6 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.9V @ 15V，1A
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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HGTD1N120BNS9A
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onsemi(安森美)
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TO-252AA
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500+:￥4.66 100+:￥5.06 30+:￥5.95 10+:￥6.74 1+:￥8.18 |
521 |
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HGTD1N120BNS9A
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ON SEMICONDUCTOR
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DPAK-3 / TO-252-3
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1+:￥6.1618 |
691 |
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现货最快4H发
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京北通宇
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HGTD1N120BNS9A
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ON(安森美)
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TO-252AA
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500+:￥6.3115 100+:￥6.4806 10+:￥7.3259 1+:￥7.6076 |
3 |
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HGTD1N120BNS9A
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安森美(onsemi)
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TO-252AA
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1000+:￥7.8008 100+:￥9.361 10+:￥10.9211 1+:￥14.334 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| IGBT 类型 | NPT |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 1200 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 5.3 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 6 A |
| 不同\xa0Vge、Ic 时\xa0Vce(on)（最大值） | 2.9V @ 15V，1A |
| 功率 - 最大值 | 60 W |
| 开关能量 | 70µJ（开），90µJ（关） |
| 输入类型 | 标准 |
| 栅极电荷 | 14 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | 15ns/67ns |
| 测试条件 | 960V，1A，82 欧姆，15V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |