咨询/建议
HGT1S10N120BNST
onsemi(安森美)
TO-263AB
IGBT管/模块
IGBT 类型：NPT，电压 - 集射极击穿（最大值）：1200 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：35 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：80 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.7V @ 15V，10A
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| IGBT 类型 | NPT |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 1200 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 35 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 80 A |
| 不同\xa0Vge、Ic 时\xa0Vce(on)（最大值） | 2.7V @ 15V，10A |
| 功率 - 最大值 | 298 W |
| 开关能量 | 320µJ（开），800µJ（关） |
| 输入类型 | 标准 |
| 栅极电荷 | 100 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | 23ns/165ns |
| 测试条件 | 960V，10A，10 欧姆，15V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |