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BSP135H6327XTSA1
Infineon(英飞凌)
SOT-223-4
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：600 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：120mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：0V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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渠道
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BSP135H6327XTSA1
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Infineon(英飞凌)
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SOT-223
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1000+:￥2.1 1+:￥2.2 |
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25+
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圣禾堂
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BSP135H6327
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Infineon(英飞凌)
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SOT-223-4
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1000+:￥2.3 500+:￥2.44 100+:￥2.84 30+:￥3.29 10+:￥3.75 1+:￥4.65 |
1106 |
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立创商城
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Infineon(英飞凌)
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SOT-223-4
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1000+:￥2.184 1+:￥2.288 |
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25+
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硬之城
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INFINEON
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PG-SOT223-4
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1+:￥4.9 |
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现货最快4H发
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京北通宇
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英飞凌(INFINEON)
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SOT-223-4
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100+:￥7.5467 30+:￥9.056 10+:￥11.3201 1+:￥13.5841 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 120mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 0V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 45 欧姆 @ 120mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 94µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 4.9 nC @ 5 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 146 pF @ 25 V |
| FET 功能 | 耗尽模式 |
| 功率耗散（最大值） | 1.8W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |