IRFR5305T
华轩阳
TO-252-2L
¥1.02519
3,617
场效应管(MOSFET)
数量:1个P沟道,漏源电压(Vdss):60V,连续漏极电流(Id):20A,导通电阻(RDS(on)):100mΩ@4.5V
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IRFR5305T
HXY MOSFET(华轩阳电子)
TO-252-2L

1000+:¥1.0252

500+:¥1.0849

100+:¥1.3001

30+:¥1.5232

10+:¥1.7021

1+:¥2.1194

3617

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IRFR5305T
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
TO-252-2L

7500+:¥0.9522

5000+:¥0.977

2500+:¥0.9936

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规格参数
属性 属性值
数量 1个P沟道
漏源电压(Vdss) 60V
连续漏极电流(Id) 20A
导通电阻(RDS(on)) 100mΩ@4.5V