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STD10NF10T4
ST(意法半导体)
TO-252(DPAK)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：13A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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库存
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渠道
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STD10NF10T4
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ST(意法半导体)
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DPAK
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2500+:￥1.13 1+:￥1.2 |
4059 |
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圣禾堂
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STD10NF10T4
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ST(意法半导体)
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TO-252-2(DPAK)
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2500+:￥1.1752 1+:￥1.248 |
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24+
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硬之城
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STD10NF10T4
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意法半导体(ST)
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DPAK
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25000+:￥1.243 5000+:￥1.3419 2500+:￥1.4125 800+:￥1.9775 200+:￥2.825 10+:￥4.5977 |
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油柑网
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STD10NF10T4
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ST(意法半导体)
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TO-252-2(DPAK)
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2500+:￥1.243 1250+:￥1.32 100+:￥1.518 30+:￥1.969 |
4059 |
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唯样商城
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STD10NF10T4
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ST(意法半导体)
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TO252
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1000+:￥2.45 100+:￥2.74 20+:￥3.19 1+:￥4.32 |
500 |
22+/23+
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 13A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 130 毫欧 @ 5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 21 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 460 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 50W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |