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2N7002CK,215
Nexperia(安世)
SOT-23
¥0.48972
108,274
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):300mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
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2N7002CK,215
Nexperia(安世)
SOT-23-3

3000+:¥0.48972

35604

22+17+
1-3工作日发货
2N7002CK,215
Nexperia(安世)
SOT-23-3

3000+:¥0.61215

7628

22+
1-3工作日发货
2N7002CK,215
安世(Nexperia)
SOT-23

30000+:¥0.6345

6000+:¥0.685

3000+:¥0.721

800+:¥1.0094

200+:¥1.442

10+:¥2.3469

1501

-
2N7002CK,215
Nexperia(安世)
SOT-23

2000+:¥0.719

1000+:¥0.7392

500+:¥0.7728

100+:¥0.84

30+:¥0.8736

1+:¥0.9072

2569

-
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MOS场效应管 2N7002CK,215 LP SOT-23(2N7002CK,215)
Nexperia(安世)
SOT-23

3000+:¥1.415

1000+:¥1.839

20+:¥2.122

1+:¥3.537

60967

20+/21+

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 300mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 1.6 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 1.3 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 55 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 350mW(Ta)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3